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双极晶体管／IGBT／IEGT

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二极管

简介

Diodes

东芝提供广泛的二极管产品组合，包括应用于高速信号线路的高速、低损耗肖特基二极管（SBD）和ESD保护二极管。
我们采用碳化硅（SiC）为原料进行制造，因为SiC SBD能提供高击穿电压，这是使用硅（Si）SBD所不能企及的。所以SiC SBD特别适合于低损耗、高效功率转换的应用，比如服务器电源和太阳能功率调节器。

产品阵容

SiC Schottky Barrier Diodes

Toshiba offers 650-V silicon carbide Schottky barrier diodes (SiC SBDs) with a rated current of 2 A to 10 A.

TVS Diodes (ESD Protection Diodes)

Fabricated with a unique process technology, Toshiba's TVS diodes provide high ESD tolerance.

Rectifier Diodes

Diodes with a reverse voltage from 200 to 1000 V and an average forward current from 0.5 to 3 A are offered in small surface-mount packages.

Switching Diodes

Switching Diodes are offered in small surface-mount packages suitable for high-density board assembly.

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RF Diodes

Variable capacitance diodes, switching diodes and schottky barrier diodes for Radio-Frequency are offered.

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