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Transistor bipolari/IGBT/IEGT

Introduzione

Transistor bipolari/IGBT/IEGT

Toshiba offre una vasta gamma di transistor bipolari per varie applicazioni, tra cui i dispositivi in radio-frequenza (RF) e di alimentazione.

Un transistor IEGT (injection-enhanced gate transistor) è un dispositivo pilotato in tensione per la commutazione di corrente elevata. Gli IEGT sono ideali per applicazioni di controllo di motori industriali che supportano le moderne infrastrutture sociali, tra cui convertitori di potenza e sistemi di azionamento industriale.

Lineup

Transistor con resistenza di polarizzazione integrata (BRT)

Transistor
bipolari

Dispositivi discreti Multi-Chip

FET a giunzione


Transistor
bipolari RF

Supporto

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·Before creating and producing designs and using, customers must also refer to and comply with the latest versions of all relevant TOSHIBA information and the instructions for the application that Product will be used with or for.