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Lineup di prodotto MOSFET

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MOSFET 12 V - 300 V

Toshiba offre un ampio portafoglio di MOSFET a basso e medio-VDSS in diversi package, da ultra-piccoli per applicazioni di small-signal a package con una grande capacità di corrente per applicazioni automobilistiche. Toshiba ha sempre utilizzato le nuove generazioni di strutture trench-gate e processi di fabbricazione per ridurre costantemente la resistenza di conduzione drain-source, RDS(ON), dei suoi MOSFET di potenza a bassa tensione. Inoltre, Toshiba ha costantemente ottimizzato le strutture delle celle MOSFET per migliorare i compromessi tra la resistenza di conduzione drain-source e le caratteristiche di carica, che sono cifre di merito che esprimono la validità dei MOSFET per applicazioni di commutazione.

Lineup

Panoramica

La più recente Serie U-MOSⅨ-H
La serie U-MOSⅨ-H incorpora eccezionali tecnologie di processo trench e di packaging per fornire le migliori prestazioni del settore.

La più recente Serie U-MOSⅨ-H

Caratteristiche e funzioni

Azionamento a bassa tensione e bassa resistenza di conduzione
Tendenze di package per MOSFET 12 V - 300 V
Package DSOP Advance con prestazioni termiche avanzate
Packaging per bassa resistenza di conduzione

Documenti

Whitepaper
Nome argomento Data di rilascio
Evoluzione dei dispositivi di potenza
Elettronica ed espansione delle tecnologie per
il montaggio, i circuiti e l'applicazione ai prodotti
8/2017

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Ottimizzazione della progettazione di potenza grazie all'efficienza e all'integrazione di MOSFET 8/2017

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Elettroutensili cordless: Potenza di uscita elevata, funzionamento prolungato e fattori di forma più piccoli 9/2017

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Package DSOP Advance con raffreddamento bilaterale Innovazione della conduttanza termica per MOSFET di potenza 8/2017

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Nota applicativa
Nome argomento Data di rilascio
Descrive le linee guida per la progettazione di un circuito gate driver per applicazioni di commutazione MOSFET e presenta esempi di circuiti gate driver 11/2017

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Descrive lo squilibrio di corrente nei MOSFET in parallelo e il meccanismo di oscillazione parassita 11/2017

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Descrive il meccanismo di oscillazione dei MOSFET per le applicazioni di commutazione 11/2017

registrazione utente

Descrive la procedura per ridurre la temperatura del chip di dispositivi a semiconduttore discreti. 12/2017
Descrive i MOSFET di potenza planari, trench e supergiunzione 11/2016
Descrive i limiti massimi assoluti, l'impedenza termica e l'area operativa sicura dei MOSFET di potenza 11/2016
Descrive le caratteristiche elettriche menzionate nelle schede tecniche 11/2016
Descrive come scegliere i MOSFET di potenza, le caratteristiche di temperatura, gli impatti di fili e oscillazioni parassite, robustezza effetto a valanga, circuiti snubber ecc. 11/2016
Descrive i circuiti termici equivalenti, esempi di calcolo della temperatura di canale e considerazioni per il fissaggio del dissipatore di calore 2/2017

Video


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