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回路解説

電源入力部の各種保護回路例

電源供給においては外部ESD、入力電源の異常、ホットプラグ時の過電圧サージが問題となることがよくあります。これらの損傷から貴重なデータを保護することが設計上求められます。

当社のeFuse ICは、超高速短絡保護回路や過電流、過電圧・突入電流抑制などの各種保護機能をワンパッケージで実現しています。また、IEC62368−1を取得しているので、従来よりも簡単で強力な保護回路を提供することができます。

また、数ns~ms ESDや過渡電圧の対策には、当社の高IPPのTVSダイオード(ESD保護用ダイオード)やツェナーダイオードを使用することができます。さらに、SBDと組み合わせることにより、負電圧および逆電流防止対策として、より堅牢な保護回路が実現できます。

過剰な電流が流れると内部検出回路が動作し内蔵MOSをオフすることで従来のヒューズに対して高速の電流遮断機能を持っています。さらに一度の過電流では破壊されず、繰り返し使用可能です。過電圧保護など多彩な保護機能も内蔵できるメリットもあります。修理にかかる保守メンテナンス費用や復旧時間の削減にも効果的な製品です。

製品名

パッケージ名称
(幅×長さ×高さ mm)

製品概要

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TCKE805NA

WSON10B
(3.0×3.0×0.75)

Auto retry type, RON=28 mΩ, IOUT (DC) =5.0 A (Max) , VOVC (Clump Voltage) = 6.0 V

TCKE805NL

WSON10B
(3.0×3.0×0.75)

Latch type, RON=28 mΩ, IOUT (DC) =5.0 A (Max) , VOVC (Clump Voltage) = 6.0 V

外部からのサージ電圧によるデバイスの破壊や誤動作を防止、小型パッケージに1ラインから4ラインまでの保護用ダイオードをラインアップしており、独自のプロセス技術により高い静電耐量と回路保護性能を実現しています。

製品名

パッケージ名称
(幅×長さ×高さ mm)

製品概要

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DF2B5M4CT

SOD-882 (CST2)
(1.0×0.6×0.38)

VRMW=+/-3.6 V, VESD=+/-20 kV, IPP=2 A, Ct=0.3 pF

DF2B6M4CT

SOD-882 (CST2)
(1.0×0.6×0.38)

VRMW=+/-5.5 V, VESD=+/-20 kV, IPP=2 A, Ct=0.3 pF

DF2S6P2CTC

SOD-963 (CST2C)
(1.6×0.8×0.48)

VRMW=5.5V VESD=+/-30kV IPP=80A Ct=600pF

DF2S14P2CTC

SOD-963 (CST2C)
(1.6×0.8×0.48)

VRMW=12.6V VESD=+/-30kV IPP=50A Ct=270pF

低VFタイプ、低IRタイプを汎用製品から大電力製品まで幅広くラインアップしており、様々な機器の高効率化・省電力化に貢献できます。

製品名

パッケージ名称
(幅×長さ×高さ mm)

製品概要

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CUHS20F30

US2H
(2.5×1.4×0.60)

Schottky Barrier Diode, VR=30 V,  IO=2 A, VF=0.40 V (Typ.) (@IF=2 A), Ct=380 pF (Typ.)

CUHS20F40

US2H
(2.5×1.4×0.60)

Schottky Barrier Diode, VR=40 V,  IO=2 A, VF=0.47 V (Typ.) (@IF=2 A), Ct=300 pF (Typ.)

その他の回路解説

電源管理

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Application / Solid State Drive

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