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回路解説

イヤホンケース内の充電回路例

トゥルーワイヤレスイヤホンでは、イヤホンに内蔵されているバッテリーはイヤホンケース収納時に充電されます。最近トゥルーワイヤレスイヤホンを探している方には「超小型」を重視する傾向が見受けられます。小型で軽量であればあるほどカバンやポケットにしまいやすいからです。イヤホンケースはイヤホンと同様に小型軽量化への要求が高まっています。筐体の小型化はシステムの小型化を進めることと同時に外部からのノイズや人体からの静電気にさらされるリスクがより高まってきます。充電に必要な電源供給はUSBから取り込みますが、USB端子は外部にむき出しになっており、各イヤホンの充電端子も例外ではありません。

これらのリスクを回避するために数ns~ms ESDや過渡電圧の対策には、当社の高IPPのTVSダイオード(ESD保護用ダイオード)を使用することができます。筐体の小型化要求の高まりによる回路小型化のため、製品を小型パッケージに搭載しました。また、IEC61000-4シリーズの認定を取得しているので、従来よりも簡単で強力な保護回路を提供することができます。

さらに、各イヤホンの充電端子との接続を検知し充電の切り替えを行うにはMOSFETでの制御が簡単かつ確実なものとなります。またMOSFETを用いることによる消費電力を抑えなければいけないこともシステム設計には重要な課題となります。当社の低オン抵抗かつ低電圧駆動MOSFETを使用することで、セットの消費電力を低く抑えることができ、これらの製品は小型パッケージに搭載することで、システムトータルの低消費化と小型化に大きく貢献することが出来ます。

外部端子から侵入する静電気などのサージ電圧からデバイスを保護したり、ICの誤動作を防止するダイオードです。当社では、独自のプロセス技術で、高い静電気耐量と回路保護性能を実現しています。汎用から高速信号までの幅広い製品ラインアップを提供しています。

製品名

パッケージ名称
(幅×長さ×高さ mm)

製品概要

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DF2B6USL

SOD-962 (SL2)
(0.62×0.32×0.3)

VESD=+/-10kV, VRWM=+/-5.5V(Max), CT=1.5pF(Typ.)(@VR=0V, f=1MHz), Rdyn=0.25Ω(Typ.)

DF2B7ASL

SOD-962 (SL2)
(0.62×0.32×0.3)

VESD=+/-30kV, VRWM=+/-5.5V(Max), CT=8.5pF(Typ.)(@VR=0V, f=1MHz), Rdyn=0.2Ω(Typ.)

DF2S6P1CT

SOD-882 (CST2)
(1.0×0.6×0.38)

VESD=+/-30kV, VRWM=5.5V(Max), CT=90pF(Typ.)(@VR=0V, f=1MHz), Rdyn=0.23Ω(Typ.)

小型パッケージに搭載された低オン抵抗かつ低電圧駆動MOSFETを使用することで、セットの消費電力を低く抑えることができ、システムトータルの低消費化と小型化に貢献します。

製品名

パッケージ名称
(幅×長さ×高さ mm)

製品概要

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SSM6N56FE

ES6
(1.6×1.6×0.55)

N-ch x 2, VDSS=20V, ID=800mA, RDS(ON)=235mΩ (Max)(@VGS=4.5V)

SSM6N61NU

UDFN6
(2.0×2.0×0.75)

N-ch x 2, VDSS=20V, ID=4.0A, RDS(ON)=33mΩ (Max)(@VGS=4.5V)

SSM3K56ACT

CST3
(1.0×0.6×0.38)

N-ch, VDSS=20V, ID=1.4A, RDS(ON)=235mΩ (Max)(@VGS=4.5V)

その他の回路解説

ワイヤレスイヤホン

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イヤホン バッテリーマネジメント
バッテリー充放電システムの電源監視回路例

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バッテリー駆動システム内の電源供給回路例

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