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拠点概要

概要

これは、マイクロエレクトロニクスセンター 小向地区の外観写真です。
小向地区の概要
所在地 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地
敷地面積 34,803㎡
建屋面積 90,389㎡
設立 1958年4月
従業員数 約500人
主要製品 ディスクリート半導体、システムLSI、メモリ半導体の技術開発
認証取得 ISO14001認証取得:1996年2月、最新更新(統合)年月:2008年8月
(ISO14001認証番号:EC98J2014)
OHSAS18001認証取得:2008年3月
(OHSAS18001認証番号:WC05J0004-27)
 拠点概要    概要 センター長からのご挨拶 沿革 (50年のあゆみ、年表) .    概要        .   小向地区の概要     所在地   神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地     敷地面積   34,803㎡     建屋面積   90,389㎡     設立   1958年4月     従業員数   約500人     主要製品   ディスクリート半導体、システムLSI、メモリ半導体の技術開発     認証取得   ISO14001認証取得:1996年2月、最新更新(統合)年月:2008年8月  (ISO14001認証番号:EC98J2014)  OHSAS18001認証取得:2008年3月  (OHSAS18001認証番号:WC05J0004-27)   .       .   半導体システム技術センター分室の概要     所在地   神奈川県川崎市幸区堀川町580番1号(地上14階、地下2階建てオフィスビル)     設立   1987年4月     従業員数   約1,500人     主要製品   ディスクリート半導体、システムLSI、メモリ半導体の技術開発     認証取得   ISO14001認証取得:1996年2月、最新更新(統合)年月:2008年8月  (ISO14001認証番号:EC98J2014)  OHSAS18001認証取得:2008年3月  (OHSAS18001認証番号:WC05J0004-27)   .       .   大船分室の概要     所在地   神奈川県横浜市栄区笠間2丁目5番1号(地上8階、地下1階建てオフィスビル)     設立   1994年10月     従業員数   約1,000人     主要製品   ディスクリート半導体、システムLSI、メモリ半導体の技術開発     認証取得   ISO14001認証取得:1996年2月、最新更新(統合)年月:2008年8月  (ISO14001認証番号:EC98J2014)  OHSAS18001認証取得:2008年3月  (OHSAS18001認証番号:WC05J0004-27)   .    センター長からのご挨拶       センター長 島津 忠美 .   マイクロエレクトロニクスセンターは、川崎市東部に位置する小向地区と多摩川に沿い川崎駅に近接した半導体システム技術センター分室、及び横浜市大船駅に近接した大船分室の3拠点で構成されています。     私たちはここで半導体及びストレージデバイスの企画・設計・研究・開発といったビジネスの源流機能を担い、技術革新とそれによる新たな価値創出、製品・サービスを通じた価値実現を日々活発に議論しています。     さらに環境への取組みを重要課題と位置付け、地球温暖化対策に代表される省エネルギー活動を始めとする環境負荷の低減活動を推進しています。     人と地球の明日のために、そして私たち自身の研鑽と成長のために、マイクロエレクトロニクスセンターは人類の叡智をあつめ最先端の力を発揮する実践の場として機能し続けています。  .          ※ 2012年 4月掲載   ※ 所属、役職、メッセージ内容については掲載当時のものです。         沿革             マイクロエレクトロニクスセンターの沿革     1958年   トランジスタ工場発足     1960年   第二工場竣工(108号棟)     1971年   CMOS LSI生産開始     1983年   多摩川工場(英文: Micro Electronics Center)に改称     1985年   1メガDRAM世界初の量産化     1987年   半導体システム技術センター設立     1991年   16メガDRAM生産開始     1992年   RISC型MPU「R4000」生産開始     1993年   ISO9001認証取得     1994年   半導体システム技術センター大船分室設立     1996年   アドバンスト・マイクロエレクトロニクスセンター稼働     1997年   ISO14001認証取得     1999年   MOSロジック試作機能廃止     1999年   マイクロエレクトロニクスセンター発足     2000年   大日本印刷(株)とのマスク製造合弁会社設立     2001年   半導体製造装置内製化事業終息     2004年   ISO14001拡大認証取得     2005年   ディスクリート半導体製品製造ライン終息     2008年   OHSAS18001認証取得     2008年   マイクロエレクトロニクスセンター50周年(トランジスタ工場発足以来)
半導体システム技術センター分室の概要
所在地 神奈川県川崎市幸区堀川町580番1号(地上14階、地下2階建てオフィスビル)
設立 1987年4月
従業員数 約1,500人
主要製品 ディスクリート半導体、システムLSI、メモリ半導体の技術開発
認証取得 ISO14001認証取得:1996年2月、最新更新(統合)年月:2008年8月
(ISO14001認証番号:EC98J2014)
OHSAS18001認証取得:2008年3月
(OHSAS18001認証番号:WC05J0004-27)
これは、マイクロエレクトロニクスセンター 大船分室の外観写真です。
大船分室の概要
所在地 神奈川県横浜市栄区笠間2丁目5番1号(地上8階、地下1階建てオフィスビル)
設立 1994年10月
従業員数 約1,000人
主要製品 ディスクリート半導体、システムLSI、メモリ半導体の技術開発
認証取得 ISO14001認証取得:1996年2月、最新更新(統合)年月:2008年8月
(ISO14001認証番号:EC98J2014)
OHSAS18001認証取得:2008年3月
(OHSAS18001認証番号:WC05J0004-27)

センター長からのご挨拶

センター長 島津忠美の写真です
センター長 島津 忠美

 マイクロエレクトロニクスセンターは、川崎市東部に位置する小向地区と多摩川に沿い川崎駅に近接した半導体システム技術センター分室、及び横浜市大船駅に近接した大船分室の3拠点で構成されています。

 私たちはここで半導体及びストレージデバイスの企画・設計・研究・開発といったビジネスの源流機能を担い、技術革新とそれによる新たな価値創出、製品・サービスを通じた価値実現を日々活発に議論しています。

 さらに環境への取組みを重要課題と位置付け、地球温暖化対策に代表される省エネルギー活動を始めとする環境負荷の低減活動を推進しています。

 人と地球の明日のために、そして私たち自身の研鑽と成長のために、マイクロエレクトロニクスセンターは人類の叡智をあつめ最先端の力を発揮する実践の場として機能し続けています。

 

※ 2012年 4月掲載

※ 所属、役職、メッセージ内容については掲載当時のものです。

これは、マイクロエレクトロニクスセンターのスローガン「驚きと感動の未来を拓く」を表したロゴです。

沿革

50年のあゆみ

年表

マイクロエレクトロニクスセンターの沿革
1958年 トランジスタ工場発足
1960年 第二工場竣工(108号棟)
1971年 CMOS LSI生産開始
1983年 多摩川工場(英文: Micro Electronics Center)に改称
1985年 1メガDRAM世界初の量産化
1987年 半導体システム技術センター設立
1991年 16メガDRAM生産開始
1992年 RISC型MPU「R4000」生産開始
1993年 ISO9001認証取得
1994年 半導体システム技術センター大船分室設立
1996年 アドバンスト・マイクロエレクトロニクスセンター稼働
1997年 ISO14001認証取得
1999年 MOSロジック試作機能廃止
1999年 マイクロエレクトロニクスセンター発足
2000年 大日本印刷(株)とのマスク製造合弁会社設立
2001年 半導体製造装置内製化事業終息
2004年 ISO14001拡大認証取得
2005年 ディスクリート半導体製品製造ライン終息
2008年 OHSAS18001認証取得
2008年 マイクロエレクトロニクスセンター50周年(トランジスタ工場発足以来)
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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。