MOSFETをロードスイッチとする場合、発生する突入電流をどう低減できますか。

MOSFETの外部に接続するゲート抵抗 Rgateの値を大きくすることで、スイッチングの立ち上がりが緩やかになり、突入電流を抑制します。

図1:突入電流(Rush current)の説明
図1:突入電流(Rush current)の説明

一般的に、電圧安定化のために平滑用として容量の大きなコンデンサー Co がMOSFETの出力側に接続されます。
MOSFETがオンするとこのコンデンサーを充電する突入電流 IRUSHが流れます。
この突入電流を低減するにはMOSFETの外部に接続するゲート抵抗 Rgateの値を大きくする方法があります。このゲート抵抗の値が大きくなると、スイッチングの立ち上がりが緩やかになり、突入電流を抑制します。ただし、スイッチング時間に関しては使用条件によって検討が必要です。ゲート抵抗の値の決め方については以下のアプリケーションノートをご参照ください。


資料名:MOSFET ゲート駆動回路(PDF:2,313KB)