1.6kW, 80Plus Platinum級,高効率 AC-DC サーバー用電源

セミブリッジレスPFC・絶縁型フェイズシフトフルブリッジを用いた1Uサイズの80Plus Platinum級1.6kW電源に関する各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。

これは、1.6kW, 80Plus Platinum級,高効率 AC-DC サーバ用電源の特長です。
これは、1.6kW, 80Plus Platinum級,高効率 AC-DC サーバー用電源の簡易ブロック図です。

特長

  • 高効率・高出力電源を1Uサイズで実現
  • 変換効率93%(Vin=230V,100%負荷)
  • 外形サイズ:307mm x 133mm x 43mm (基板下部の金属板、ヒートシンク天板含む)
  • 最適なパワー素子(MOSFET、SiCダイオード)、フォトカプラをトータルで提案

概要

入力電圧 AC90~264V
出力電圧 DC12V
出力電力 0.8kW(100V系入力時)、1.6kW(200V系入力時)
回路構成 部分ブリッジレスPFC、フェイズシフトフルブリッジ+同期整流回路、出力ORing回路

このソリューションの概要説明資料をダウンロードする (PDF:564KB)

これは、1.6kW, 80Plus Platinum級,高効率 AC-DC サーバー用電源の効率カーブです。
効率カーブ

デザインドキュメント

回路の動作概要、設計ポイントの解説など、設計者向けの資料を提供。各タブをクリックして、回路設計・検討にお役立てください。

デザインデータ

EDAツールに読み込んで使用する回路データ、PCBレイアウトデータ、PCB製造に使用するデータを提供。複数のツールベンダーの形式を用意しています。お使いのツールで自由に編集加工可能です。

※1:実際の基板はCR5000BDにて設計しています。 CR5000BDのデータを変換し他のツール用データを作成しています。

※2:CR5000BD上でデータ出力しています。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) PFC・4 N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 Ω@10V, TO-247, DTMOSⅣ-H
SiCショットキバリアダイオード PFC・2 650 V/8 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-220-2L
パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) 一次側・4 N-ch MOSFET, 600 V, 0.14 Ω@10V, TO-247, DTMOSⅣ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V) 二次側・8 N-ch MOSFET, 100 V, 0.0037 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅨ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) Oring・10 N-ch MOSFET, 30 V, 0.0009 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅧ
フォトカプラ(IC出力) 一次側、二次側間制御信号伝達・4 Photocoupler (photo-IC output), High-speed, 50 Mbps, 5000 Vrms, SO6L

関連ドキュメント

搭載製品のアプリケーションノートなど、類似回路の設計・検討に役立つ資料を提供。各タブをクリックして活用ください。

アプリケーション

エアコン
エアーコンディショナーの設計では、モーター駆動の高効率化、低消費電力化、小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、モーター駆動部、動作制御部、各種センサー信号入力部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。

ご検討の方へ

技術的なお問い合わせ

お問い合わせ

お問い合わせ

よくあるお問い合わせ

FAQ
別ウインドウにて開きます