抵抗のバラツキは？

データシートに記載されているバラツキ幅は、入力抵抗 R₁ではセンター値に対し規格幅は±30%になります。ベース・エミッター間抵抗 R₂は抵抗単体での規格はありません。抵抗比 (R₁/R₂) で規格化しています。規格幅は±10%です。
また、内蔵抵抗は温度依存性を持っています。温度特性のカーブを図-2に示します。約-0.2%/℃の温度依存性があります。

抵抗 R₁について：
R₁はBRTのB端子に入力された電圧を電流に変換する素子です。バイポーラトランジスターは電流駆動素子です。電圧で駆動しようとすると電圧に対するコレクター電流の変化が大きく制御が難しくなります。この抵抗があることで比較的容易に制御することが可能になります。BRTのオン時、入力電圧によりますが内蔵トランジスターはh_FE＝ I_C / I_bが10~20と飽和の状態で動作します。このため、R₁を通る電流I_Bは数mA程度の比較的大きな電流が流れます。この抵抗の許容損失は1/8 Wですので、抵抗値の高いR₁を内蔵した素子では、入力電圧V_Iの最大電圧はこの抵抗 (R₁) で決まります。
（FAQ：“抵抗内蔵トランジスター(BRT)のベースに印加できる最大電圧は何Vですか？”を参照ください）

抵抗比R₁/R₂について：
R₁/R₂に依存する項目として入力オン電圧　V_I(ON)があります。トランジスターがオンする直前ではベース電流I_Bは流れませんので、B端子に入力された電圧V_IはR₁とR₂の分圧になります。内蔵トランジスターがオンする閾値電圧をV_be とすると
       V_be ＝ R₂ / (R₁+R₂) * V_I(ON)
V_beは内蔵されるトランジスターが同じであれば、抵抗値が異なっても同じ値となります。
       V_I(ON)＝V_be＊(R₁+R₂) / R₂　＝　 V_be＊( 1 + R₁ / R₂ )
このように抵抗比　R₁/R₂に依存することがわかります。