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ケース2.【MOSFET見直しによる耐圧マージン改善:電源製品】

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45V系MOSFET・最新世代のMOSFET・低RDS(ON)・低Qoss・電源製品開発

サージ電圧がマージン分を超過!
特別スペックの注文しか解決案はないのか…
「あともう少し」をカバーする45V系ラインアップを有するU-MOSIX-H

製品紹介

VDSS=30V、40V、45V、60V、100V系と5つのラインアップを備えたU-MOSⅨ-H。

特長

  • 業界トップレベルの低オン抵抗と出力電荷量のトレードオフ特性*1
  • 低Qoss*2により低出力損失を実現
  • 幅広いラインアップ

*1  2017年11月現在、同定格の製品において、当社調べ。
*2  QOSS   : 出力電荷量

課題解決事例

産業機器メーカーF社の課題(従業員:1,500人)

F社では内部規格要求20%ディレーティングで新たな電源製品を開発中であった。12V出力電源のため標準的な40V系のMOSFETを使用したところ、評価を実施するとサージ電圧は34Vとなり32Vに対して2Vオーバーとなった。
サージ電圧を32Vに抑えるとスイッチングスピードが遅くなるという問題があり、60V系等の上位のMOSFETを使えばオン抵抗が高くなってしまう問題があった。特注で43VのMOSFETを用意することも可能だが、コストがかかりすぎてしまう点が問題であった。
既存スペックのMOSFETを使用するか、或いは特別スペックのMOSFETを用意するか、F社は判断を迫られた。

最新世代のU-MOSIX-Hでトラブルを解決

そんな折、代理店から紹介を受けたのは東芝デバイス&ストレージ株式会社のMOSFETだった。東芝デバイス&ストレージ株式会社の最新世代のMOSFET、U-MOSIX-Hは30V系、40V系製品に加え、45V系のラインアップも提供していた。

最新世代 "U-MOSⅨ-H"

  • U-MOSⅨ-Hの特長(VDSS=40V)

    • トップレベルの低RDS(ON)
      RDS(ON)*3=0.65mΩ typ.(VGS=10V)
      *TPWR8004PL

    • 低損失を実現する低QQSS
      RDS(ON) × QOSS = 56mΩ・nC(VDS=20V)
      *TPWR8004PL

    • Tch = 175℃ 保証

*3 RDS(ON) : ドレイン・ソース間オン抵抗

最新世代"U-MOSIX-H"

東芝デバイス&ストレージ株式会社の45V系U-MOSIX-Hは40V系とサイズもフットプリントも変わらないため、置き換えもやりやすい。しかもRDS(ON)も近い値となっており、20%ディレーティング時に36Vまでサージ電圧が許容できる。
東芝デバイス&ストレージ株式会社の45V系U-MOSIX-Hを採用したことで、F社は顧客要求を実現、無事納品に漕ぎつ着けることができたた。

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