東芝推出80V N溝道功率MOSFET採用最新一代製程，可提高電源效率
March 30, 2020
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
- 擴大U-MOS X-H功率MOSFET系列產品陣容 -
東芝電子元件及儲存裝置株式會社（東芝）推出80V N溝道功率MOSFET為採用最新一代製程的「U-MOS X-H系列」。 產品適用於資料中心和通訊基地台中所用的工業設備的開關電源。
新產品為兩款封裝，一款為採用表面黏著SOP Advance封裝的TPH2R408QM以及TSON Advance封裝的TPN19008QM。即日起出貨。
由於採用了最新一代製程技術，比當前製程U-MOS VIII-H系列中的80V產品相比，新款80V U-MOS X-H產品的漏源導通電阻降低了大約40%。透過最佳化元件結構，漏源導通電阻與閘極電荷特性[1]之間的平衡也得到了改善[2]。此款IC可提供業界最低功耗[3]。
應用
- 開關電源（高效率AC-DC轉換器、DC-DC轉換器等）
- 馬達控制設備（馬達驅動器等）
產品特點
- 業界最低[3]功耗（透過改善導通電阻與閘極電荷特性[2]之間的平衡）
- 業界最低 [3]導通電阻：
RDS(ON)=2.43mΩ (max) ＠VGS=10V (TPH2R40QM)
RDS(ON)=19mΩ (max) ＠VGS=10V (TPN19008QM) - 高額定通道溫度: Tch=175℃
產品規格
(Unless otherwise specified, @Ta=25℃)
Part number |
||||
|---|---|---|---|---|
Absolute Maximum ratings |
Drain-source voltage VDSS (V) |
80 |
80 |
|
Drain current (DC) ID (A) |
@Tc=25℃ |
120 |
34 |
|
Channel temperature Tch (℃) |
175 |
175 |
||
Electrical characteristics |
Drain-source On-resistance RDS(ON) max (mΩ) |
@VGS=10V |
2.43 |
19 |
@VGS=6V |
3.5 |
28 |
||
Total gate charge (gate-source plus gate-drain) Qg typ. (nC) |
87 |
16 |
||
Gate switch charge Qsw typ. (nC) |
28 |
5.5 |
||
Output charge Qoss typ. (nC) |
90 |
16.5 |
||
Input capacitance Ciss typ. (pF) |
5870 |
1020 |
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Packages |
Name |
SOP Advance |
TSON Advance |
|
Size typ. (mm) |
5.0×6.0 |
3.3×3.3 |
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Stock Check & Purchase |
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注釋：
[1] 總閘極電荷（閘源+閘漏）、閘極開關電荷、輸出電荷
[2] 與TPH4R008NH（U-MOS VIII-H系列）相比，TPH2R408QM的漏源導通電阻x總閘極電荷約提高15%，漏源導通電阻 x 閘極開關電荷約提高10%，漏源導通電阻x輸出電荷約提高31%。
[3] 截至2020年3月30日，東芝調查。
更多新產品資訊
連結至東芝12-300V MOSFET產品陣容
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