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采用DPAK封装的第二代650V SiC SBD 产品:TRS2P65F等

产品新闻2017年11月

包括“TRS2P65F”在内的全部6个产品都属于第二代碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)。 它们采用表面贴装型DPAK封装。
第二代产品的正向浪涌电流(IFSM)约为第一代产品的1.7倍,所以降低了发生损坏的可能性,而且因为其品质因数(VF·QC[1])下降致使损耗下降,大约为第一代产品的2/3。它们将有助于减小电源大小和提高效率。

注:[1] VF·QC (正向电压和总电容电荷的乘积)是指代表SiC SBD损耗性能的指标。该指标值越低,损耗越低。

特点

  • 高的正向浪涌电流(大约比第一代高1.7倍)
  • 低的VF·QC[1] (大约为第一代的2/3)
  • 使用表面贴装型DPAK封装

应用

  • 消费品和办公自动化设备的高效电源(大屏幕4K LCD电视、OLED电视、投影机、多功能打印机等)
  • 工业设备的高效电源(基站、电脑服务器等)
  • 光伏逆变器

产品规格

(除非另有规定,@Ta=25°C)

封装 器件型号 绝对最大额定值 Electrical characteristics
正向直流电流
IF(DC)
(A)
非重复峰值正向浪涌电流
IFSM
(A)
总的功率耗散tot
(W)
正向电压
VF
(V)
结电容
Cj 典型值
(pF)
总电容电荷
QC 典型值
(nC)
品质因数
VF·QC
典型值
(V·nC)
- @半正弦波
t=10 ms
@TC=25°C @IF(DC) @VR=1 V @VR=0.1
to 400 V
-
DPAK TRS2P65F 2 19 34.0 1.45
(典型值)

1.60
(最大值)
85 5.8 8.4
TRS3P65F 3 26 37.5 120 8.1 11.7
TRS4P65F 4 33 41.0 165 10.4 15.1
TRS6P65F 6 45 48.3 230 15.1 21.9
TRS8P65F 8 58 55.5 300 19.7 28.6
TRS10P65F 10 70 62.5 400 24.4 35.4

内部电路

The illustration of internal circuit of the second generation 650 V SiC SBD products in DPAK packages: TRS2P65F, etc.

应用电路实例

The illustration of application circuit example of the second generation 650 V SiC SBD products in DPAK packages: TRS2P65F, etc.

SiC SBD经常用于连续电流模式(CCM)中的PFC(功率因数校正)部件。当Q1处于关断状态而交流电源开始供电时(例如,当电源接通时),大电流将流入PFC部件的二极管。IFSM是指商用频率的浪涌能力,它是避免产品损坏的重要因素。

本文所示应用电路仅供参考。需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。东芝电子元件及存储装置株式会社提供这些应用电路实例并不表示提供了任何的工业产权许可。

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