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东芝推出EMI性能更佳的600V/650V超结N沟道功率MOSFET

2017年02月01日

TO-220SIS / DPAK

东京-- 东芝公司(TOKYO:6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V/650V超结N沟道功率MOSFET,该产品适用于工业和办公设备。该新“DTMOS V系列”最初将提供12款产品。样品发货即日启动,批量生产发货计划于3月中旬启动。

该新系列拥有与东芝当前的“DTMOS IV系列”相同水平的低导通电阻、高速开关性能,同时,其优化的设计流程使EMI性能提升约3至5dB[1]。而且,降低的单位面积导通电阻(RON x A)性能使新的650v 0.29Ω产品可使用DPAK封装。该新系列产品适用于需要高效率和小体积的工业和办公设备电源、笔记本电脑和移动设备适配器和充电器以及电脑和打印机。

新MOSFET产品阵容及主要规格:

产品型号 封装 绝对最大额定值 RDS(ON)
最大值
(Ω)
@VGS=10V
Qg典型值
(nC)
@VDD=400V
VGS=10V
ID=最大额定值
Ciss Typ.
(pF)
@VDS=300V
VGS=0V
f=100kHz
VDSS (V) ID (A)
TK290A60Y TO-220SIS 600 11.5 0.29 25 730

TK380A60Y

TO-220SIS 600 9.7 0.38 20 590
TK560A60Y TO-220SIS 600 7.0 0.56 14.5 380
TK290P60Y DPAK 600 11.5 0.29 25 730
TK380P60Y DPAK 600 9.7 0.38 20 590
TK560P60Y DPAK 600 7.0 0.56 14.5 380
TK290A65Y TO-220SIS 650 11.5 0.29 25 730
TK380A65Y TO-220SIS 650 9.7 0.38 20 590
TK560A65Y TO-220SIS 650 7.0 0.56 14.5 380
TK290P65Y DPAK 650 11.5 0.29 25 730
TK380P65Y DPAK 650 9.7 0.38 20 590
TK560P65Y DPAK 650 7.0 0.56 14.5 380

[1] 在150-210MHz,使用东芝评估板。东芝调查。

欲了解更多关于新产品和东芝中高电压功率MOSFET产品阵容,请访问:

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/hv-mosfet.html

客户问询:
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