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东芝存储器株式会社宣布推出96层3D闪存

2017年06月28日

东芝公司

东芝存储器株式会社第四代BiCS FLASH™层数增加,存储容量提高


东京--存储器解决方案全球领导者东芝存储器株式会社今日宣布,公司已开发出采用堆叠式结构[1]的96层BiCS FLASH™三维(3D)闪存的原型样品,该产品采用三位元(三阶存储单元,TLC)技术。该96层新产品为256千兆比特(32GB)设备,其样品预计将于2017年下半年发布,批量生产计划于2018年启动。该新产品满足企业级和消费级SSD、智能手机、平板电脑和存储卡等应用的市场需求和性能规范。

未来,东芝存储器株式会社将在不久的将来在其512千兆比特(64GB)等较大容量产品中应用其新的96层工艺技术和4位元(四阶存储单元,QLC)技术。
 

创新的96层层叠工艺结合了先进的电路和制造工艺技术,与64层层叠工艺相比,其每单元芯片尺寸存储容量增加约40%。该工艺降低了位存储价格并提高了每个硅晶片存储容量的可制造性。
 

S自2007年宣布推出全球首款[2]3D闪存技术原型以来,东芝存储器株式会社不断推动3D闪存的发展并积极推广BiCS FLASH™技术,以满足市场对更小裸芯片面积 、更大容量闪存的需求。

该96层BiCS FLASH™将在四日市生产基地5号晶圆厂(Fab 5)、2号新晶圆厂(Fab 2)和将于2018夏季开业的6号晶圆厂(Fab 6)生产。
 

注:

1. 一种在硅基板上垂直堆叠闪存存储单元的结构,相比平面NAND闪存(存储单元位于硅基板上),其极大地提高了密度。

2. 数据来源:东芝存储器株式会社,截至2007年6月12日。
 

* 本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能均为其各自公司的商标。
 

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