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东芝电子元件及存储装置株式会社面向移动和消费应用推出采用业界领先小型封装的N沟道MOSFET驱动IC

2017年09月28日
东芝公司

WCSP6E

东京-- 东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布推出 “TCK401G”(高电平有效[1])和 “TCK402G”(低电平有效[2])N沟道MOSFET驱动器,该产品支持最高可达28V的输入电压,因此适合于快速充电和需要大电流电源的其他应用。新MOSFET驱动IC的批量发货即日启动。

新的TCK401G和TCK402G具备多种内置保护功能,包括过压保护、浪涌电流抑制和自动输出放电功能,但依然采用业界领先的WCSP6E小型封装,尺寸为0.8mm × 1.2mm × 0.55mm(典型值)[3]

可利用一个配有外部N沟道MOSFET的驱动器实现高效率电源电路,其中该MOSFET具备适合于目标应用的最大额定电压和导通电阻。例如,新型MOSFET驱动器和低导通电阻SSM6K513NU MOSFET相结合适合于移动和消费应用,因为其可在较小空间内构建100W级电源电路。

应用场合

  • 移动设备
  • 消费设备

特点

  • 输入工作电压范围宽:VIN_opr =2.7-28 V
  • WCSP6E小型封装:0.8×1.2 mm,t:0.55mm(典型值)
  • 过压保护、浪涌电流抑制和自动输出放电功能

主要规格

项目
(Ta=25℃)
TCK401G
(高电平有效)
TCK402G
(低电平有效)
绝对最大额定值
输入电压VIN (V) 40
电气特性
输入工作电压VIN_opr(V) 2.7-28
输入静态电流IQ(ON) 典型值(μA)
@ VIN=5 V
121
栅极驱动电压
VGS 典型值(V)
VIN = 3 V 4
VIN = 5 V 6.5
VIN = 9 V 6.5
12V≦VIN≦28V 6.5
VGATE 导通时间
tON典型值(ms) [4] @VIN=5V,VGATE=6V, CGATE=2000pF
0.58
VGATE 断路时间
tOFF 典型值(μs) [4] @VIN=5V, VGATE=0.5V,CGATE=2000pF
16.6

注:

[1] 当模式控制输入端子处于高态时,则外部MOSFET导通。当模式控制输入端子处于低态时,则外部MOSFET断路。
[2] 当模式控制输入端子处于低态时,则外部MOSFET导通。当模式控制输入端子处于高态时,则外部MOSFET断路。
[3] 一种N沟道MOSFET驱动IC,截至2017年9月27日。东芝电子元件及存储装置株式会社调查。
[4] 自VCT达到VIH值一半之时起,VGATE达到规定值所耗时间。

有关东芝电子元件及存储装置株式会社电源IC产品阵容的更多信息,请访问如下链接:

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/linear/power-supply.html

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