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东芝电子元件及存储装置株式会社推出新一代600V平面MOSFET系列

2018年1月10日
东芝公司

π-MOS IX系列600V平面MOSFET兼具高效率和低噪音优点

π-MOS IX series

东京—东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布推出一个新的600V平面MOSFET系列——“π-MOS IX”。批量生产即日启动。

π-MOS IX系列采用经优化的芯片设计,与现有的π-MOS VII系列相比,其EMI噪声峰值低5dB[1],同时保持了相同水平的效率。该产品提供更大的设计自由度,因此有助于减小设计工作量。此外,π-MOS IX系列具备相同的额定雪崩电流和额定直流电流,可轻松取代现有的MOSFET。

东芝电子元件及存储装置株式会社将推出更多600V器件以及500V和650V器件,以扩大其π-MOS IX系列的产品阵容。

应用场合

  • 笔记本电脑AC适配器和游戏机充电器的中小型开关电源
  • 照明电源

特点

  • 兼具高效率和低噪音优点
  • 额定雪崩电流和额定直流电流相等

主要规格

产品型号 封装 绝对最大额定值 RDS(ON)
最大值(Ω)
VGS=10V
Qg
典型值
(nC)
Ciss
典型值
(pF)
当前一代
(π-MOS VII系列)
产品型号
VDSS(V) ID(A)
TK650A60F TO-220SIS 600 11 0.65 34 1320 TK11A60D
TK750A60F TO-220SIS 600 10 0.75 30 1130 TK10A60D
TK1K2A60F TO-220SIS 600 6 1.2 21 740 TK6A60D(1.25Ω)
TK1K9A60F TO-220SIS 600 3.7 1.9 14 490 TK4A60DB(2.0Ω)

注:

[1] TK10A60D与TK750A60F相比较(65W笔记本电脑适配器的200MHz范围内)

有关中高电压功率MOSFET产品阵容的更多信息,请访问如下链接:

https://toshiba.semicon-storage.com/cn/product/mosfet/hv-mosfet.html

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