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东芝推出采用新型封装的车规40V N沟道功率MOSFET

2018年4月11日
东芝电子元件及存储装置株式会社

—采用小型低电阻封装,实现更低的导通电阻

TPHR7904PB, TPH1R104PB

东京--东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)已推出两款采用小型低电阻SOP Advance(WF)封装的新MOSFET产品——“TPHR7904PB”和“TPH1R104PB”,这两款产品是车规40V N沟道功率MOSFET系列的最新产品。批量生产即日启动。

这两款新MOSFET产品采用第九代U-MOS IX-H沟槽工艺制造,采用小型低电阻封装,具备低导通电阻,因此有助于降低导通损耗。与东芝前代设计(U-MOS IV)相比,U-MOS IX-H设计还实现了更低的开关噪声,有助于降低EMI(电磁干扰)。

SOP Advance (WF)封装采用“可焊锡侧翼”(wettable flank)端子结构,支持在焊接之后进行自动光学检测(AOI)

应用场合

  • 电动助力转向系统(EPS)
  • 负载开关
  • 电子泵

特点

  • 由于采用U-MOS IX-H工艺和SOP Advance(WF)封装,实现了最大导通电阻(RDS(ON)最大值)仅有0.79mΩ。
  • 低噪音特性降低了电磁干扰(EMI)。
  • 采用可焊锡侧翼端子结构,支持小型低电阻封装。

Wettable flank terminal
Wettable flank terminal

主要规格

(除非另作说明,@Ta=25°C)

产品型号 漏源极电压
VDSS(V)
漏极电流(DC)
ID(A)
漏源极导通电阻
RDS(ON)最大值(mΩ)
栅源极之间内置稳压二极管 系列
@VGS=6V @VGS=10V
TPH1R104PB 40 120 1.96 1.14 U-MOS IX
TPHR7904PB 150 1.3 0.79 U-MOS IX

有关MOSFET产品阵容的更多信息,请访问如下链接:

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/product/mosfet.html

客户问询:
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电话:+81-3-3457-3933

中国地区
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