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功率器件扩展应用领域的宽带隙半导体发展

Evolution of Wide-Bandgap Semiconductors for Power Devices Expanding Fields of Application

宽带隙半导体包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),鉴于它们具有能提供更高能量效率的卓越特性,目前正在吸引人们将其应用于下一代功率器件中。

东芝电子元件及存储装置株式会社已推出了各种SiC功率器件,并正在开发能够执行高速开关操作的GaN功率器件,包括准常闭式GaN HEMT和GaN MOSFET。

 
*转载自Toshiba Review(第72卷,第5条,2017年11月)

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