MOSFET/结FET

JEITA注册项目系列(例:2SK****/2SJ****)

器件型号的JEITA注册器件型号系列示例
器件型号的JEITA注册器件型号系列示例

小信号MOSFET(SSM)系列(例:SSM3K102TU)

小信号MOSFET(SSM)系列示例
小信号MOSFET(SSM)系列示例

①小信号MOSFET

 

②引脚数

 

③极性和内部配置

K:N沟道,单型
J:P沟道,单型
N:N沟道,双型
P:P沟道,双型
L:N沟道和P沟道(双型)
E:N沟道和P沟道(预先接线作为负载开关)
H:N沟道和SBD
G:P沟道和SBD
Q:PNP和P沟道

 

④产品的序列号

 

⑤封装

3引脚 F:S-Mini
FU:USM
FS:SSM
FV:VESM
T:TSM
TU:UFM
CT:CST3
CTB:CST3B
R:SOT-23F
4引脚 CT:CST4
5引脚 F:SMV
FU:USV
FE:ESV
TU:UFV
6引脚 FU:US6
FE:ES6
TU:UF6
CTD:CST6D
NU:UDFN6/UDFN6B

传统的多引脚系列(例:TPC8067-H)

传统的多引脚系列示例
传统的多引脚系列示例

①封装

TPC6:VS-6系列

TPCF8:VS-8系列

TPCP8:PS-8系列

TPCC8:TSON Advance系列

TPC8:SOP-8系列

TPCA8:SOP Advance系列

 

②极性/配置

0:N沟道,单型

1:P沟道,单型

2:N沟道,双型

3:P沟道,双型

4:N沟道和P沟道,双型

A:N沟道和SBD

B:P沟道和SBD

J:P沟道和NPN

 

③产品的序列号

 

④附加信息

-H:高速型

无:低导通电阻类型

新型多引脚系列(例:TPH4R606NH)

新型多引脚系列示例
新型多引脚系列示例

1.封装

TPN :TSON Advance系列
TPW:DSOP Advance 系列
TP8 :SOP-8系列
TPH :SOP Advance系列
           SOP Advance(N)系列
TPE:SOP Advance(E)系列

 

2.最大导通电阻
(在最大驱动条件下)

R46=0.46mΩ
4R6=4.6mΩ
100=10×100=10mΩ
101=10×101=100mΩ

 

3.极性/配置

0 :单型N沟道
1 :单型P沟道
2 :双型N沟道
3 :双型P沟道
4 :双型N沟道+P沟道
A :双型N沟道MOS+SBD
B :双型P沟道MOS+SBD

 

4. 漏极-源极电压(VDSS

3:25V至34V
4:35V至44V
5:45V至54V
6:55V至64V
7:65V至74V
8:75V至84V
9:85V至94V
A:95V至124V
B:125V至149V
C:150V至179V
D:180V至199V
E:200V至249V
F:250V至299V

 

5.系列

G:U-MOSVII
M:U-MOSVI
N:U-MOSVIII
P:U-MOSIX
Q:U-MOSX 

 

6.附加信息

1至4:产品序列号
5: HSD(高速恢复二极管)型
A:VGS=10V(驱动)
B:VGS=6V(驱动)
C:VGS=4.5V(驱动)
D:VGS=2.5V(驱动)
E:VGS=2.0V(驱动)
F:VGS=1.8V(驱动)
G:VGS=1.5V(驱动)
H:低rg,VGS=10V(驱动)
J: VGS = 1.2V(驱动)
M:低rg,VGS=6V(驱动)
L:低-rg,VGS=4.5V(驱动)
Q:Tch(最大值)=确保高达175°C+ZD
R:Tch(最大值)=确保高达150°C+ZD
S:Tch(最大值)=确保高达175°C
T:Tch(最大值)=确保高达150°C
U:低尖峰

适用于车载应用的新型多引脚系列(例:XPQR3004PB)

用于车载应用的新型多引脚系列示例
用于车载应用的新型多引脚系列示例

1.封装

XPN:TSON Advance
XP8:SOP-8
XPH:SOP Advance
XPJ:S-TOGL
XPQ:L-TOGL
XPY:TO-Leadless
XPW:DSOP Advance

 

2.最大导通电阻
(在最大驱动条件下)

R46=0.46mOhm
4R6=4.6mOhm
100=10×100=10mOhm
101=10×101=100mOhm

 

3.极性/配置

0:单型N沟道
1:单型P沟道

 

4.漏极-源极电压(VDSS

4:35V至44V
6:55V至64V
8:75V至84V
A:95V至124V

 

5.系列

K:U-MOSIV
M:U-MOSVI
N:U-MOSVIII
P:U-MOSIX
Q:U-MOSX 

 

6.附加信息

1至4:产品序列号
5:HSD(高速恢复二极管)型
A:VGS=10V(驱动)
B:VGS=6V(驱动)
C:VGS=4.5V(驱动)
D:VGS=2.5V(驱动)
S:Tch(最大值)=确保高达175°C

3引脚系列(例:TK40S10K3Z)

3引脚系列示例
3引脚系列示例

1.

TK:N沟道
TJ:P沟道

 

2.漏极电流(ID

 

3.封装

A:TO-220SIS
C:I2PAK
E:TO-220
F:TO-220SM(W)
G:D2PAK
J:TO-3P(N)
L:TO-3P(L)
M:TO-3P(N)IS
N:TO-247
P:DPAK/New PW-Mold
Q:IPAK/ New PW Mold2
S:DPAK+
V:DFN8x8
Z:TO-247-4L (4-pin)

 

4.漏极-源极电压( VDSS):

显示值×10倍=VDSS

06:VDSS=60V
10:VDSS=100V

 

5.系列

A:π-MOSIV
C:π-MOSVI
D:π-MOSVII
E:π-MOSVIII
J:U-MOSIII
K:U-MOSIV
M:U-MOSVI
N:U-MOSVIII
U:DTMOSII
V:DTMOSIII
W:DTMOSIV
X:DTMOSIV-H

 

6.附件信息(1)

1:低电容型
3:低导通电阻型
5:快速体二极管型

 

7.附件信息(2)

H:VGS=10V(驱动)
M:VGS=6V (驱动)
L:VGS=4.5V(驱动)
Z:栅极和源极之间具有保护齐纳二极管

新型3引脚系列(例:TKR74F04PB)

新型3引脚系列示例
新型3引脚系列示例

TK:N沟道
TJ:P沟道

 

最大值,导通电阻
VDSS=400V或低于产品
(在最大驱动条件下)

R74=0.74mΩ
8R2=8.2mΩ
100=10×100=10mΩ
101=10×101=100mΩ

 

最大值,导通电阻
VDSS=400V或高于产品
(在最大驱动条件下)

047=0.047Ω
410=0.41Ω
4K7=4.7Ω

 

③封装

A:TO-220SIS
C:I2PAK
E:TO-220
F:TO-220SM(W)
G:D2PAK
J:TO-3P(N)
L:TO-3P(L)
M:TO-3P(N)IS
N:TO-247
P:DPAK/新PW-Mold
Q:IPAK/新PW Mold2
R:D2PAK+
S:DPAK+
V:DFN8x8
Z:TO-247 4L(4引脚)

④漏极-源极电压(VDSS):
显示值×10倍=VDSS

04:VDSS=40 V
10:VDSS=100 V

 

⑤ 系列

G:U-MOSVII
M:U-MOSVI
N:U-MOSVIII
P:U-MOSIX
Y:DTMOSⅤ

 

⑥ 附加信息

A: VGS=10V(驱动)
B: VGS=6V(驱动)
C: VGS=4.5V(驱动)
H:低rg,VGS=10V(驱动)
M:低rg,VGS=6V(驱动)
L:低rg,VGS=4.5V(驱动)

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