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小型封装LDO稳压器

东芝紧凑型封装LDO稳压器的特点是低噪声、高输出稳定性等。它们能满足模拟电路的特殊需求。我们推出的LDO稳压器产品阵容涵盖了通用型到超小型封装的产品。而且,我们也通过采用新一代的生产工艺显著地改进了压降特点。

特性
WCSP4 封装

1.超小型封装
由于采用了WCSP和SDFN4封装而节省了电路板空间。

2.低压降特点
与传统工艺相比,它改进了一半的压降电压。

SDFN4 封装

3.低噪声输出特点
特别适合用于射频或模拟电源。

4.优良的高速负载瞬态响应
所有新一代产品都具有一个快速响应电路,在输出电流急剧变化时也具有稳定性。

5.辅助功能
过电流保护、过热保护、输出放电功能、具有输入电流控制电路,不选择应用。

新一代工艺产品阵容

Product List

LDO稳压器的参数检索

采用新一代工艺后的特点优化

图1新工艺的优点:压降电压输出为1.2V

压降电压输出为:1.2V LDO稳压器说明

图2负载瞬态响应的典型特点

LDO稳压器负载瞬态响应的典型特点说明

系列 输出电流 输出电压 特性 过电流保护 过热保护 输出放电 封装
TCR5AM 500mA 0.55至3.6V 低漏压
低电压输出

DFN5B
TCR2DG 200mA 1.2至3.6V 低噪音,高R.R WCSP4
WCSP4
TCR2EN 200mA 1.0至3.6V 标准 SDFN4
SDFN4
TCR2EE 1.0至5.0V ESV
ESV(SOT-553)
TCR2EF

1.0至5.0V

SMV
SMV(SOT-25)
TCR2LN 200mA 0.8至3.6V 低静态电流 SDFN4
SDFN4
TCR2LE ESV
ESV(SOT-553)
TCR2LF SMV
SMV(SOT-25)
TCR3DM 300mA 1.0至4.5V 低压差线性稳压器,低励磁涌流 DFN4
DFN4
TCR3DF SMV
SMV(SOT-25)

用途

  • 移动电话、平板电脑、便携式音频播放器、DSC/DVC及其它小型移动设备。

移动设备用超小型封装低噪声200mA LDO稳压器:TCR2DG系列

WCSP4 封装

200mA单输出LDO稳压器的特点是低噪声输出、高纹波抑制比、极好的高速负载响应能力和低压降,并且还采用了全新开发的微CMOS工艺。
该款产品具有低噪音输出,达18µVrms(2.5V输出),在高频条件下(2.5V输出,f=10kHz)的纹波抑制比达62dB,高速负载下ΔVOUT= ±65mV(IOUT=1mA⇔150mA,COUT=1.0µF),具有卓越的响应能力,具有低压降特点,达80mV(2.5V输出,IOUT=100mA)。
LDO稳压器采用了超小型(0.79 × 0.79 × 0.5mm)WCSP4封装,特别适合用于需要进行高密度封装的场合,比如移动设备。

特点

  • 低噪声输出:
    VNO=20µVrms(典型值)@3.0V输出,IOUT=10mA,10Hz<f<100kHz
    VNO=18µVrms(典型值)@2.5V输出,IOUT=10mA,10Hz<f<100kHz
    VNO=14µVrms(典型值)@1.2V输出,IOUT=10mA,10Hz<f<100kHz
  • 高纹波抑制比
    RR=75dB(典型值)@2.5V输出,IOUT=10mA,f=1kHz
    RR=62dB(典型值)@2.5V输出,IOUT=10mA,f=10kHz
    RR=50dB(典型值)@2.5V输出,IOUT=10mA,f=100kHz
  • 高速负载瞬态响应:
    ΔVOUT= ±65mV(典型值)@IOUT=1mA⇔150mA,COUT=1.0µF
  • 低压降电压:
    VIN-VOUT=80mV(典型值)@2.5V输出,IOUT=100mA
  • 电压钳型输出电压可以设置在1.2V和3.6V之间,以50mV递增
  • 输出电压精度:±1.0%
  • 内置过电流保护电路
  • 内置过热保护电路
  • 超小型封装有助于减小空间需求

电路实例

超小型封装低噪声200mA LDO稳压器电路实例说明:TCR2DG系列

典型特性

超小型封装低噪声200mA LDO稳压器典型特征说明:TCR2DG系列.

低压降电压和低噪声200mA LDO稳压器:TCR2EN/EE/EF系列

具有控制终端的单输出200mA CMOS LDO稳压器采用了全新开发的微型CMOS工艺。
输入和输出的电压差特点是压降低,仅为160mV(2.5V输出,

IOUT=150mA)。同时,这些产品具有低输出噪声电压的特点,达35µVrms(2.5V输出)以及高速负载瞬态响应的特点,达ΔVOUT= ±55mV(IOUT=1mA⇔150mA输,COUT=1.0µF)。除了过电流保护,输出自动放电和其它基本功能之外,这些稳压器也具有非常广泛的应用。
这些产品具有超小型(0.8 × 0.8 × 0.38mm)SDFN4封装和通用型(2.9 × 2.8 × 1.1mm)和ESV(1.6 × 1.6 × 0.55mm)封装。

SDFN4 封装

SMV 和ESV 封装

特点

  • 低压降电压:
    VIN-VOUT=160mV(典型值)@2.5V输出,IOUT=150mA
    VIN-VOUT=210mV(典型值)@1.8V输出,IOUT=150mA
    VIN-VOUT=490mV(典型值)@1.0V输出,IOUT=150mA
  • 低输出噪声电压:
    VNO=35µVrms(典型值)@2.5V输出,IOUT=10mA,10Hz<f<100kHz
  • 负载瞬态响应特点:
    ΔVOUT= ±55mV(典型值)@IOUT=1mA⇔150mA,COUT=1.0µF
  • 低偏置电流:
    IB=35µA(典型值)@IOUT=0mA
  • 高纹波消除率:
    RR=73dB(典型值)@2.5V输出,IOUT=10mA,f=1kHz
  • 输出电压范围:
    1.0至3.6V(固定输出类型)
  • 高输出电压精度: ±1.0%(VOUT≥1.8V)
  • 内置自动放电功能和下拉式控制终端连接
  • 可使用陶瓷电容器(CIN=0.1µF,COUT=1.0µF)

电路实例

LDO稳压器电路实例说明: TCR2EN/EE/EF系列.

使用电容器进行输入输出以保证稳定的运行。(可使用陶瓷电容器)

典型特性

压降电压特点(Ta=25℃)

LDO稳压器典型特征说明:TCR2EN/EE/EF系列

负载瞬态响应特点(VIN =VOUT + 1V、COUT=1.0µF、Ta=25℃)

LDO稳压器典型特征说明:TCR2EN/EE/EF系列

低电流消耗和低漏失电压200-mA LDO稳压器:TCR2LN/LE/LF系列

ldo-regulator01

最新TCR2LN/LE/LF系列包括了单输出200-mA LDO稳压器IC,该IC采用了最新的小型模拟CMOS IC工艺,具有超低电流消耗和低漏失电压的特点。

该新系列最高消耗电流为2μA,或是前一代TCR2E系列消耗电流的1/30。

TCR2LN/LE/LF系列提供0.8V至3.6V的固定输出电压,提供超小型SDFN4封装(测量值为0.8mm × 0.8mm)或通用型SOT-553和S0T-25封装。它非常适用于要求长时间电池续航的各种移动应用,比如可穿戴器件、智能手机、平板电脑和便携式游戏机。



特点

  • 超低偏置电流:2μA最大值@ IOUT = 0mA和Tj = -40°C至85°C
  • 漏失电压:250mV典型值(@2.5-V输出,IOUT = 150mA)
  • 输出电压范围:0.8V至3.6V(固定输出电压)
  • 输出电压调整:±1.0%(VOUT≥1.8V)
  • 自动输出放电(控制引脚连接至下拉式电阻器。)
  • 允许在输入和输出线路中使用小型陶瓷电容器(CIN = 0.1µF,COUT = 1.0µF)



电路实例

典型特性

低电流消耗和低漏失电压200-mA LDO稳压器:TCR2LN/LE/LF系列

ldo-regulator01

TCR2LN/LE/LF系列包括了单输出200-mA LDO稳压器IC,该IC采用了最新的小型模拟CMOS IC工艺,具有超低电流消耗和低漏失电压的特点。

该新系列最高消耗电流为2μA,或是前一代TCR2E系列消耗电流的1/30。

TCR2LN/LE/LF系列提供0.8 V至3.6V的固定输出电压,提供超小型SDFN4封装(测量值为0.8 mm × 0.8 mm)或通用型SOT-553和S0T-25封装。它非常适用于要求长时间电池续航的各种移动应用,比如可穿戴器件、智能手机、平板电脑和便携式游戏机。

特点

  • 超低偏置电流:2μA最大值@ IOUT = 0 mA 和 Tj = -40°C至85°C
  • 漏失电压:250mV典型值(@2.5-V输出,IOUT=150mA)
  • 输出电压范围:0.8V至3.6V(固定输出电压)
  • 输出电压调整:±1.0%(VOUT≥1.8V)
  • 自动输出放电(控制引脚连接至下拉式电阻器。)
  • 允许在输入和输出线路中使用小型陶瓷电容器(CIN = 0.1µF, COUT=1.0µF)

电路实例

典型特性

LDO稳压器IC的应用说明

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