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小型封装LDO稳压器

Product List

LDO稳压器的参数检索

东芝紧凑型封装LDO稳压器的特点是低噪声、高输出稳定性等。它们能满足模拟电路的特殊需求。我们推出的LDO稳压器产品阵容涵盖了通用型到超小型封装的产品。而且,我们也通过采用新一代的生产工艺显著地改进了压降特点。

特性
WCSP4Eパッケージ

1.超小型封装
因采用WCSP和SDF4封装而节省了电路板空间。

2.低漏失电压
比前一代工艺大约下降50%

3.低噪声
非常适用于射频(RF)和模拟电源应用。

SDFN4 封装

4.快速的负载瞬态响应
所有的LDO稳压器均集成了快速负载瞬态响应电路。
东芝的LDO稳压器即便是在输出电流突然变化时也能提供稳定的电源电压。

5.增加功能
提供过电流保护、自动输出放电、热关断和浪涌电流限制功能,使得全新LDO稳压器适用于各种应用。

新一代工艺产品阵容

因采用新工艺改进了电气特性

图1:1.2V LDO稳压器之间的电压降性能比较

これは、出力電圧1.2V品におけるドロップアウト特性比較のグラフです。

 

图2:负载瞬态响应性能(TCR2EN30)

これは、TCR13AGADJの負荷過渡応答代表特性のグラフです。

 

系列 输出电流 输出电压 特性 过电流保护 过热保护 输出放电 封装
TCR13AGADJ 1.3 A 0.6 to 3.6 V (variable voltage type) Low dropout
Low voltage output
High R.R

WCSP6F
TCR5AM 500mA 0.55至3.6V 低漏压
低电压输出

DFN5B
TCR2DG 200mA 1.2至3.6V 低噪音,高R.R WCSP4
WCSP4
TCR2EN 200mA 1.0至3.6V 标准 SDFN4
SDFN4
TCR2EE 1.0至5.0V ESV
ESV(SOT-553)
TCR2EF

1.0至5.0V

SMV
SMV(SOT-25)
TCR2LN 200mA 0.8至3.6V 低静态电流 SDFN4
SDFN4
TCR2LE ESV
ESV(SOT-553)
TCR2LF SMV
SMV(SOT-25)
TCR3UG 300 mA 0.8至5.0V Low quiescent
Current
Fast load
transient response

(You can select)

WCSP4F
TCR3DM 300mA 1.0至4.5V 低压差线性稳压器,低励磁涌流 DFN4
DFN4
TCR3DG DFN4
WCSP4E
TCR3DF SMV
SMV(SOT-25)
TCR4DG 420mA 1.0至4.5V 低压差线性稳压器,低励磁涌流
WCSP4E

用途

  • 移动电话、平板电脑、便携式音频播放器、DSC/DVC及其它小型移动设备。

用于移动设备的超小型封装1.3A LDO稳压器:TCR13AGADJ

WCSP4 封装

现在,可穿戴设备和部分IoT设备也采用电池进行工作。这就刺激了市场对于用以延长电池寿命的小型LDO稳压器和低功耗负载开关IC的需求。
用于移动应用,采用业内最小封装的1.3A LDO稳压器:TCR13AGADJ
TCR13AGADJ LDO稳压器适用于智能手机、平板电脑以及相机、无线模块、存储设备、机顶盒和其它移动设备用Wi-Fi®芯片组的电源调节。
因采用了外部偏置电压引脚(VBAT),TCR13AGADJ能提供业内最低等级的*1的电压降*2,因此有助于提高系统功率效率。

特点

  • 低漏失电压
    VIN-VOUT = 92mV(典型值)@ 0.9V输出、VBIAS = 3.3V,IOUT = 1.0A
    VIN-VOUT = 9.2mV(典型值)@ 0.9V输出、VBIAS = 3.3V,IOUT = 0.1A
  • 高纹波抑制比
    R.R.(VIN)= 90dB(典型值)@ VBIAS = 5.5V,VIN = VOUT + 1V,IOUT = 10mA,
    f = 1kHz,VIN Ripple = 200mVp-p
  • 快速负载瞬态响应
    ΔVOUT = -100/+115 mV(典型值)@ 0.01A ⇔ 1A
  • 电压钳型输出电压可以设置在1.2V和3.6V之间,以50mV递增
  • 可变输出:通过外部电阻实现0.55V和3.6V的调节
  • 提供业内最小*1的WCSP6F封装,即0.8mm x 1.2mm(典型值),厚度为0.33mm(最大值)

电路实例

超小型封装低噪声200mA LDO稳压器电路实例说明:TCR2DG系列

典型特性

超小型封装低噪声200mA LDO稳压器典型特征说明:TCR2DG系列.

具有控制终端的单输出200mA CMOS LDO稳压器采用了全新开发的微型CMOS工艺。
输入和输出的电压差特点是压降低,仅为160mV(2.5V输出,IOUT = 150mA)。同时,这些产品具有低输出噪声电压的特点,达35µVrms(2.5V输出)以及高速负载瞬态响应的特点,达ΔVOUT = ±55mV(IOUT = 1mA⇔150mA输,COUT = 1.0µF)。除了过电流保护,输出自动放电和其它基本功能之外,这些稳压器也具有非常广泛的应用。
这些产品具有超小型(0.8 × 0.8 × 0.38mm)SDFN4封装和通用型(2.9 × 2.8 × 1.1mm)和ESV(1.6 × 1.6 × 0.55mm)封装。

低压降电压和低噪声200mA LDO稳压器:TCR2EN/EE/EF系列

SDFN4 封装

SMV 和ESV 封装

特点

  • 低压降电压:
    VIN-VOUT = 160mV(典型值)@2.5V输出,IOUT = 150mA
    VIN-VOUT = 210mV(典型值)@1.8V输出,IOUT = 150mA
    VIN-VOUT = 490mV(典型值)@1.0V输出,IOUT = 150mA
  • 低输出噪声电压:
    VNO = 35µVrms(典型值)@2.5V输出,IOUT = 10mA,10Hz<f<100kHz
  • 负载瞬态响应特点:
    ΔVOUT = ±55mV(典型值)@IOUT = 1mA⇔150mA,COUT = 1.0µF
  • 低偏置电流:
    IB = 35µA(典型值)@IOUT = 0mA
  • 高纹波消除率:
    RR = 73dB(典型值)@2.5V输出,IOUT = 10mA,f = 1kHz
  • 输出电压范围:
    1.0至3.6V(固定输出类型)
  • 高输出电压精度:±1.0%(VOUT≥1.8V)
  • 内置自动放电功能和下拉式控制终端连接
  • 可使用陶瓷电容器(CIN = 0.1µF,COUT = 1.0µF)

电路实例

使用电容器进行输入输出以保证稳定的运行。(可使用陶瓷电容器)

典型特性

压降电压特点(Ta = 25℃)

LDO稳压器典型特征说明:TCR2EN/EE/EF系列

负载瞬态响应特点(VIN = VOUT + 1V、COUT = 1.0µF、Ta = 25℃)

LDO稳压器典型特征说明:TCR2EN/EE/EF系列

低电流消耗和低漏失电压200mA LDO稳压器:TCR2LN/LE/LF系列

ldo-regulator01

最新TCR2LN/LE/LF系列包括了单输出200mA LDO稳压器IC,该IC采用了最新的小型模拟CMOS IC工艺,具有超低电流消耗和低漏失电压的特点。

该新系列最高消耗电流为2μA,或是前一代TCR2E系列消耗电流的1/30。

TCR2LN/LE/LF系列提供0.8V至3.6V的固定输出电压,提供超小型SDFN4封装(测量值为0.8mm × 0.8mm)或通用型SOT-553和S0T-25封装。它非常适用于要求长时间电池续航的各种移动应用,比如可穿戴器件、智能手机、平板电脑和便携式游戏机。



特点

  • 超低偏置电流:2μA最大值@ IOUT = 0mA和Tj = -40°C至85°C
  • 漏失电压:250mV典型值(@2.5V输出,IOUT = 150mA)
  • 输出电压范围:0.8V至3.6V(固定输出电压)
  • 输出电压调整:±1.0%(VOUT≥1.8V)
  • 自动输出放电(控制引脚连接至下拉式电阻器。)
  • 允许在输入和输出线路中使用小型陶瓷电容器(CIN = 0.1µF,COUT = 1.0µF)



电路实例

file

典型特性

LDO稳压器IC的应用说明

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