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三维闪存:BiCS FLASH™


进一步提高闪存的容量

东芝于1987年发明了NAND闪存,并且率先于1991年开始量产该产品,这开创了世界的先例。随后,通过缩小制造工艺和工艺技术节点,东芝不断增大NAND闪存的容量。

然而工艺迁移产生了各种挑战。使用传统平面NAND闪存技术进一步增大存储器容量变得极其困难。

为解决这一问题,东芝发明了新的工艺技术,即闪存芯片垂直堆叠。2007年,东芝成为了世界首个*1宣布三维(3D)闪存堆叠技术的公司。通过进一步开发,东芝已推出了3D闪存:BiCS FLASH™。

目标应用

由于物联网(IoT)的出现,社交网络服务(SNS)的流行,更高分辨率的照片和视频的生产,世界范围内产生的数据量都呈现指数式的增长。
 

在信息处理领域,实时性能被视为一个重要的要求,因为大量的数据必须由大数据系统进行管理或无限期存储到数据中心和云服务系统。在这种情况下,需要大容量存储以便能够以高速和低功耗的方式处理、存储和管理大量的数据。

而且对于智能手机、平板电脑、存储卡和其它功率敏感性应用而言,对于低功耗存储的需求正在日益增长。

BiCS FLASH相比于平面NAND闪存提供了许多优点,它将成为满足市场要求的解决方案。

BiCS FLASH的特点

高密度和高容量

高密度化/大容量化のイメージ

BiCS FLASH是垂直堆叠的三维(3D)闪存,相比于其前一代的先进技术,即二维(2D)NAND闪存,它具有更高的芯片面积密度。BiCS FLASH通过优化电路技术和生产工艺缩小了芯片尺寸。另外通过使用高密度单元,64层BiCS FLASH每个单元面积所提供的存储容量是48层BiCS FLASH的1.4倍左右。

快速编程速度

高速化のイメージ

BiCS FLASH中的存储器单元间隔比2D NAND闪存的更大。这就可以通过增加单次编程序列的数据量来提高编程速度。

高的可靠性

信頼性向上のイメージ

BiCS FLASH的宽存储器单元间隔相比于2D NAND闪存而言降低了单元的耦合性,提高了可靠性。

低功耗

低消費電力化のイメージ

相比于2D NAND闪存,BiCS FLASH通过增加单次编程序列的数据量降低了每个编程数据单位的功耗(即:更快的编程速度)。

视频片段

  • BiCS FLASH是东芝公司的商标。
  • *1截止2007年6月12日(由东芝宣布)

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