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NAND接口: SmartNAND™

SmartNAND™产品增加了纠错码(ECC)和其他功能,NAND闪存接口和物理地址的访问保持不变。因此,主控制器端不需要再随着NAND闪存不断减小的制程工艺而一直提高自身的ECC能力。虽然主机控制器端仍需管理通通常的块管理和损耗均衡,但是SmartNAND™消除了在控制器开发时由于要处理ECC而带来的大量负担。借助SmartNAND™解决方案,现有的主控端的(NAND)控制器可以使用最先进NAND闪存。另一方面,新的主机控制器在使用Legacy(SDR)接口外,更可以使用至ggle DDR1.0以实现更快的速度性能。

NAND_IF_SNAND_e_1

NAND管理如损耗均衡和坏块管理等需由主机端负责。需要块擦除(和原始NAND一样)。

SmartNAND™产品列表
容量 器件型号 DQ
接口
页大小
(Byte)
/CE信号 &
Ready/Busy信号
电源电压 工作温度
(℃)
封装
VCC(V) VCCQ(V)
4 GByte THGBR2G5D1JTA00 Legacy(SDR) 16K 1 & 1 2.7至3.6 2.7至3.6 ,
1.7至1.95
0至70 (备注 ) 48 pin TSOP
8 GByte THGBR2G6D1JTA00 Legacy(SDR) 16K 1 & 1 2.7至3.6 2.7至3.6 ,
1.7至1.95
0至70 (备注 ) 48 pin TSOP
THGBR2G6D1JBA01 Legacy(SDR) 16K 1 & 1 2.7至3.6 2.7至3.6 ,
1.7至1.95
0至70 (备注 ) 132 ball BGA
THGBT2G6D1JBA01 Toggle DDR1.0 16K 1 & 1 2.7至3.6 2.7至3.6 ,
1.7至1.95
0至70 (备注 ) 132 ball BGA
16 GByte THGBR2G7D2JBA01 Legacy(SDR) 16K 2 & 2 2.7至3.6 2.7至3.6 ,
1.7至1.95
0至70 (备注 ) 132 ball BGA
THGBT2G7D2JBA01 Toggle DDR1.0 16K 2 & 2 2.7至3.6 2.7至3.6 ,
1.7至1.95
0至70 (备注 ) 132 ball BGA
32 GByte THGBR2G8D4JBA01 Legacy(SDR) 16K 2 & 2 2.7至3.6 2.7至3.6 ,
1.7至1.95
0至70 (备注 ) 132 ball BGA
THGBT2G8D4JBA01 Toggle DDR1.0 16K 2 & 2 2.7至3.6 2.7至3.6 ,
1.7至1.95
0至70 (备注 ) 132 ball BGA
64 GByte THGBR2G9D8JBA01 Legacy(SDR) 16K 2 & 2 2.7至3.6 2.7至3.6 ,
1.7至1.95
0至70 (备注 ) 132 ball BGA
THGBT2G9D8JBA01 Toggle DDR1.0 16K 2 & 2 2.7至3.6 2.7至3.6 ,
1.7至1.95
0至70 (备注 ) 132 ball BGA

(备注)如果首选工作温度范围在-40 to 85 ℃,请联系你所在地区的东芝销售。

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