车载V2X

车载V2X

Such as reduction of power supply and signal noise and reduction of power consumption are important in designing V2X. Toshiba provides information on a wide range of semiconductor products suitable for RF block units, power supply units, etc., along with circuit configuration examples.

总方框图

单击总方框图中想要查看详细信息的区域。将显示我们建议的子方框图的链接。

 GNSS GNSS LNA LNA V2X Transceiver /Processor V2X Transceiver /Processor LNA LNA Filter Filter V2N V2N V2V / V2I / V2P V2V / V2I / V2P CAN Transceiver CANTransceiver Level Shifter LevelShifter TVS TVS MCU MCU CAN LINE CAN LINE Other ECU Other ECU Battery (12 V) Battery(12 V) Reverse Battery Protection / Load Switch Reverse Battery Protection /Load Switch LPF LPF DC-DC DC-DC Switch Switch LNA LNA PA PA Switch Switch LNA LNA PA PA TVS TVS TVS TVS TVS TVS [Note1] GNSS: Global Navigation Satellite System [Global posi... [Note1] GNSS: Global Navigation Satellite System[Global positioning satellite system: generic term for satellite positioning systems such as GPSs, GLONASS, Galileo, quasi-top satellites (QZSS)] [Note1] [Note1] Antenna peripheral circuit 12 V DC-DC converter (non-isolated buck type) Power supply ON/OFF control and reverse connection protection circuit
天线外围电路

V2X天线外围电路示例

12V DC-DC转换器(非隔离降压型)

12V DC-DC转换器(非隔离降压型)示例

电源开/关控制及反接保护电路

12V电源线P沟道MOSFET开关控制和反接保护电路示例

12V电源线N沟道MOSFET开关控制和反接保护电路示例

子方框图

天线外围电路
天线外围电路

V2X天线外围电路示例

V2X天线外围电路示例
Radio frequency SiGe bipolar transistor
器件型号
Toshiba Package Name USQ USQ
VCEO (Max) [V] 4 4
IC (Max) [A] 0.05 0.035
fT (Typ.) [GHz] 26.5 27.5
NF (Typ.) [dB] @ f = 2 [GHz] 0.55 0.57
Polarity NPN NPN
12V DC-DC转换器(非隔离降压型)
12V DC-DC转换器(非隔离降压型)

12V DC-DC转换器(非隔离降压型)示例

12V DC-DC转换器(非隔离降压型)示例
U-MOS Series 40 V N-ch MOSFET
器件型号
Toshiba Package Name TSON Advance(WF) DPAK_plus SOP Advance(WF) DSOP Advance(WF)L TO-220SM(W) D2PAK_plus
VDSS (Max) [V] 40 40 40 40 40 40
ID (Max) [A] 40 120 150 150 250 160
RDS(ON) (Max) [Ω] @ |VGS| = 10.0 [V] 0.0038 0.00135 0.00079 0.00079 0.00074 0.0015
Polarity N-ch N-ch N-ch N-ch N-ch N-ch
电源开/关控制及反接保护电路
电源开/关控制及反接保护电路(P沟道型)

12V电源线P沟道MOSFET开关控制和反接保护电路示例

12V电源线P沟道MOSFET开关控制和反接保护电路示例
U-MOS series -40V / -60V P-ch MOSFET
器件型号
Toshiba Package Name DPAK_plus DPAK_plus SOP Advance(WF) TO-220SM(W)
VDSS (Max) [V] -40 -60 -40 -40
ID (Max) [A] -90 -60 -100 -200
RDS(ON) (Max) [Ω] @ |VGS| = 10.0 [V] 0.0043 0.0112 0.0031 0.0018
Polarity P-ch P-ch P-ch P-ch
General purpose small signal MOSFET
器件型号
Toshiba Package Name S-Mini S-Mini VESM
VDSS (Max) [V] 60 -60 -20
ID (Max) [A] 0.4 -0.4 -0.8
RDS(ON) (Max) [Ω] @ |VGS| = 4.5 [V] 1.75 1.9 0.39
Polarity N-ch P-ch P-ch
General purpose small signal bipolar transistor
器件型号
Toshiba Package Name SSM SSM USM USM S-Mini S-Mini
VCEO (Max) [V] -50 50 50 -50 50 -50
IC (Max) [A] -0.15 0.15 0.15 -0.15 0.15 -0.15
Polarity PNP NPN NPN PNP NPN PNP
Small signal bias resistor built-in transistor (BRT)
器件型号
Toshiba Package Name ES6 ES6 US6 US6
VCEO (Q1) (Max) [V] 50 -50 50 -50
VCEO (Q2) (Max) [V] 50 -50 50 -50
IC (Q1) (Max) [A] 0.1 -0.1 0.1 -0.1
IC (Q2) (Max) [A] 0.1 -0.1 0.1 -0.1
Polarity (Q1) NPN PNP NPN PNP
Polarity (Q2) NPN PNP NPN PNP
TVS diode (for CAN communication)
器件型号
Toshiba Package Name USM USM USM
VESD (Max) [kV] +/-30 +/-25 +/-20
IR (Max) [µA] 0.1 0.1 0.1
Rdyn (Typ.) [Ω] 0.8 1.1 1.5
CT (Typ.) [pF] @ VR = 0 [V], f = 1 [MHz] 9 9 6.5
电源开/关控制及反接保护电路(N沟道型)

12V电源线N沟道MOSFET开关控制和反接保护电路示例

12V电源线N沟道MOSFET开关控制和反接保护电路示例
U-MOS Series 40 V N-ch MOSFET
器件型号
Toshiba Package Name TSON Advance(WF) DPAK_plus SOP Advance(WF) DSOP Advance(WF)L TO-220SM(W) D2PAK_plus
VDSS (Max) [V] 40 40 40 40 40 40
ID (Max) [A] 40 120 150 150 250 160
RDS(ON) (Max) [Ω] @ |VGS| = 10.0 [V] 0.0038 0.00135 0.00079 0.00079 0.00074 0.0015
Polarity N-ch N-ch N-ch N-ch N-ch N-ch
Gate driver (for switch)
器件型号
Toshiba Package name PS-8 (SON8-P) SSOP16 WSON10A
VBB (Max) [V]      
VCC (Max) [V]      
IO (Max) [A] +5mA/ Internally Limited   Internally Limited /-5m
General purpose small signal MOSFET
器件型号
Toshiba Package Name S-Mini S-Mini VESM
VDSS (Max) [V] 60 -60 -20
ID (Max) [A] 0.4 -0.4 -0.8
RDS(ON) (Max) [Ω] @ |VGS| = 4.5 [V] 1.75 1.9 0.39
Polarity N-ch P-ch P-ch
General purpose small signal bipolar transistor
器件型号
Toshiba Package Name SSM SSM USM USM S-Mini S-Mini
VCEO (Max) [V] -50 50 50 -50 50 -50
IC (Max) [A] -0.15 0.15 0.15 -0.15 0.15 -0.15
Polarity PNP NPN NPN PNP NPN PNP
Small signal bias resistor built-in transistor (BRT)
器件型号
Toshiba Package Name ES6 ES6 US6 US6
VCEO (Q1) (Max) [V] 50 -50 50 -50
VCEO (Q2) (Max) [V] 50 -50 50 -50
IC (Q1) (Max) [A] 0.1 -0.1 0.1 -0.1
IC (Q2) (Max) [A] 0.1 -0.1 0.1 -0.1
Polarity (Q1) NPN PNP NPN PNP
Polarity (Q2) NPN PNP NPN PNP
TVS diode (for CAN communication)
器件型号
Toshiba Package Name USM USM USM
VESD (Max) [kV] +/-30 +/-25 +/-20
IR (Max) [µA] 0.1 0.1 0.1
Rdyn (Typ.) [Ω] 0.8 1.1 1.5
CT (Typ.) [pF] @ VR = 0 [V], f = 1 [MHz] 9 9 6.5

解决方案

这些文档对推荐的半导体产品的要点及其特性进行了说明。请参考其进行产品选择。

参考设计

TPD7106F的单输出高边N沟道功率MOSFET栅极驱动IC应用和电路的TPD7106F应用电路示例
TPD7106F的单输出高边N沟道功率MOSFET栅极驱动IC应用和电路
该参考设计提供了TPD7106F的应用电路和仿真示例,其功能包括电源反向连接,电荷泵电路等。
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TPD7104AF的单输出高边N沟道功率MOSFET栅极驱动IC应用和电路的短路检测电路方框图
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该参考设计提供了TPD7104AF的应用电路和仿真示例,该器件具有短路保护、电源反向连接保护等功能。
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设计与开发

开关电源选型工具库(SMPS Lib.)

您可以根据实际需求选择和下载电源单元的各种基本拓扑,以便在仿真环境中验证MOSFET的性能。

电机控制和驱动电路库

您可以根據實際要求選擇和下載馬達驅動IC的各種基本拓撲結構,例如3相逆變器電路,以驗證MOSFET和其他元件在您的模擬環境中的性能。

EDA/CAD模型库

我们提供用于产品电路板开发的仿真数据、封装的3D模型以及焊盘图案模型(2D模型)。

MCU Motor Studio

MCU Motor Studio具有专用于东芝 TXZ+TM族高级系列微控制器的PC工具和电机控制固件。

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