3-2 ESD事件保护的主要特性 (2)

图3.11 ESD保护二极管浪涌吸收工作原理
图3.11 ESD保护二极管浪涌吸收工作原理

3-2(2)低钳位电压(VC)和第一峰值电压

图3.10显示采用IEC 61000-4-2规定ESD波形时,高低钳位电压(VC)ESD保护二极管的波形效果。这些波形采集于受保护器件(DUP)输入端。具有低VC 的ESD保护二极管在30ns和60ns处钳位电压低于具有高VC的ESD保护二极管。ESD波形曲线下的面积越小,受保护器件(DUP)受到的损坏越小。因此,具有低VC的ESD保护二极管可提供更好的ESD脉冲保护。此外,一些ESD保护二极管在ESD进入后不会立即响应。因此,如果ESD脉冲第一峰值电压高于ESD保护二极管的VC,则可能施加到受保护器件,造成故障或破坏。ESD保护二极管响应速度高于其他类型保护器件。此外,东芝正在优化芯片工艺和内部器件结构,进一步降低第一个峰值电压,从而在初始阶段对ESD峰值电压提供更可靠的保护。

第Ⅲ章:TVS二极管(ESD保护二极管)的主要电气特性

3、TVS二极管(ESD保护二极管)的主要电气特性
3-1正常工作状态(无ESD事件)的主要特性(1)
3-1正常工作状态(无ESD事件)主要特性(2)
3-1正常工作状态(无ESD事件)的主要特性(3)
3-2 ESD事件保护的主要特性(1)
3-2 ESD事件保护的主要特性(3)

相关信息

在新窗口打开