MOSFET的性能:安全工作区域(或安全操作区域)

安全工作区域(SOA)有两种模式。

(1)正向偏置SOA(F.B. SOA):电流和电压在导通状态下的可用面积。
(2)反向偏压SOA(R.B. SOA):电流和电压在关断操作时的可用面积。

由于用于开关操作,施加的脉宽非常窄。

每种模式的定义如图3-12(a)所示。

实际运行中的SOA定义
图3-12(a)实际运行中的SOA定义
MOSFET的F.B.SOA实例
图3-12(b)MOSFET的F.B.SOA实例
  • 关于雪崩保证,通常保证MOSFET关断时的额定电压/电流操作(短时),但R.B. SOA尚未公布。
  • F.B. SOA由三个限制区域(额定电流、额定电压和热阻区)和二次击穿区域组成。
  • 这三个限制区域由器件额定值限制或由热阻计算。但二次击穿区域是通过测量实际器件获得。

第Ⅲ章:晶体管

晶体管的类型
双极晶体管(BJT)
内置偏置电阻型晶体管(BRT)
结型场效应晶体管(JFET)
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
BJT和MOSFET的差异
MOSFET的结构和工作原理
MOSFET性能改进:RDS(ON)的决定因素
MOSFET性能改进:低RDS(ON)的解决方案
MOSFET性能改进:超级结MOSFET(SJ-MOS)
按结构分类的MOSFET特性摘要
MOSFET的性能:漏极电流和功耗
MOSFET的性能:雪崩能力
MOSFET的性能:电容的特性
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极晶体管(IGBT)的工作原理
IGBT的性能改进:垂直设计的发展
什么是RC-IGBT和IEGT?
IGBT的应用
IGBT和MOSFET的正向特性比较
晶体管的结构比较
MOSFET的数据表:最大额定值
MOSFET的数据表:电气特性
MOSFET的数据表:电容和开关特性
MOSFET的数据表:体二极管

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