什么是RC-IGBT和IEGT?

反向导通IGBT:RC-IGBT

  • RC-IGBT的结构如图3-16(a)所示。二极管由一部分p型层构成,p型层作为IGBT的n型集电极。该二极管具有与FWD*1相同的功能,FWD*1通常插入IGBT中。
  • 随着薄晶片技术的引入,这种结构的商业化也成为了可能。由于二极管和IGBT是一个芯片,所以很容易组装。因为很难单独控制二极管和IGBT的性能,所以RC-IGBT不适合某些应用。

*1:FWD—续流二极管。一般用于输送电抗器产生的回流电流。

RC-IGBT的结构
图3-16(a)RC-IGBT的结构

栅极注入增强型晶体管:IEGT

  • 在高压IGBT中,由于发射极侧漂移层(n型层)载流子浓度较低,所以很难获得低VCE(sat)特性。
  • IEGT开发用于获得高耐受电压(通常为1200V或更高)下的低VCE(sat)性能
  • 图3-16(b)显示了IEGT的结构和原理。
  • 它有一个沟槽栅结构。拉出栅电极将变薄。结果使得载流子聚集在薄栅电极的正下方,这就增加了发射极侧的载流子浓度
  • 高的载流子密度降低了漂移层的电阻,使VCE(sat)降低

 

IEGT的结构和载流子密度
图3-16(b)IEGT的结构和载流子密度

第Ⅲ章:晶体管

晶体管的类型
双极晶体管(BJT)
内置偏置电阻型晶体管(BRT)
结型场效应晶体管(JFET)
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
BJT和MOSFET的差异
MOSFET的结构和工作原理
MOSFET性能改进:RDS(ON)的决定因素
MOSFET性能改进:低RDS(ON)的解决方案
MOSFET性能改进:超级结MOSFET(SJ-MOS)
按结构分类的MOSFET特性摘要
MOSFET的性能:漏极电流和功耗
MOSFET的性能:雪崩能力
MOSFET的性能:电容的特性
MOSFET的性能:安全工作区域(或安全操作区域)
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极晶体管(IGBT)的工作原理
IGBT的性能改进:垂直设计的发展
IGBT的应用
IGBT和MOSFET的正向特性比较
晶体管的结构比较
MOSFET的数据表:最大额定值
MOSFET的数据表:电气特性
MOSFET的数据表:电容和开关特性
MOSFET的数据表:体二极管

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