SBD是否具有反向恢复特性（t_rr）?

当正向偏置时，pn结二极管导通，因为电子、少数载流子流入p型半导体，而空穴流入n型半导体。由于电子和空穴都有助于器件工作，因此pn结二极管称为双极器件。另一方面，如果SBD由n型半导体和金属构成，当SBD正向偏置时，多数载流子会流入金属，使其导通。由于只有多数载流子对器件工作有用，因此SBD称为单极器件。
p-n结二极管等双极型二极管具有低浓度N-层，可以增大器件的击穿电压。该层在导通时可发挥电阻作用，其缺点是会增大正向电压。但实际工作期间在导通时，大量空穴会从阳极侧的P+层流入N-层。同时，从阴极侧提供大量电子以维持电中性。因此，N^-层中暂时存在大量载流子，导致电阻值较低。这种现象称为电导率调制。
这对于降低器件的导通电压（正向电压）而言既有益处，也有缺点，其不能立即关断（关断需要时间）。因为由于电导率调制而进入N-层的大量少数载流子（空穴）无处可去，这些多余的少数载流子通过复合消失需要时间。这段时间称为反向恢复时间，有反向电流流动。相反，在SDB情况下，n型（或p型）半导体的少数载流子对器件工作没有用。因此，SBD没有反向恢复时间。然而，由于SBD由金属与半导体之间的异质结组成，因此会发生相当大的表面泄漏。在某些SBD中，有时会使用pn结来减少这种泄漏。此外，它具有寄生电容，因此它可能具有反向恢复时间，尽管与pn结二极管相比非常短。
关于电导率调制，请参阅下面的e-learning。
e-learning：肖特基势垒二极管基础知识　2-3.电导率调制