MOSFET的电气特性(静态特性IGSS/IDSS/V(BR)DSS/V(BR)DXS

栅极漏电流(IGSS)

栅极漏电流(IGSS

当在漏极和源极短路的情况下在栅极和源极之间施加指定电压时产生的漏电流

IGSS测量

漏极截止电流(IDSS)

漏极截止电流(IDSS
当在栅极和源极短路的情况下在漏极与源极之间施加指定电压时产生的漏电流

IDSS测量

漏源击穿电压(V(BR)DSS/V(BR)DXS)

漏源击穿电压(V(BR)DSS/V(BR)DXS

保证器件在漏极与源极之间阻断的最大电压
(BR)DSS:在栅极和源极短路的情况下
(BR)DSX:在栅极和源极反向偏置的情况下

V(BR)DSS测量

V(BR)DSX测量

V(BR)DSX测量

数据表说明

特性 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
栅极漏电流 IGSS VGS=±20V,VDS=0V ±0.1 µA
漏极截止电流 IDSS VDS=40V,VGS=0V 10
漏源击穿电压 V(BR)DSS ID=10mA,VGS=0V 40 V
V(BR)DSX ID=10mA,VGS=-20V 25
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