漏极电流(DC)(硅极限)表示单个硅单元的电流承载能力,未考虑封装和安全工作区域的限制。
漏极电流(DC)(硅极限)不是指实际可以施加到产品上的电流。 它表示硅芯片的载流能力,作为与其他产品比较的参考。 换句话说,它表示在不考虑封装和安全工作区域等限制的情况下,作为单个硅单元来看的通电容量。 可应用于产品的漏极电流(DC)受产品封装的载流能力、结温最大值和安全工作区域的限制。
绝对最大额定值(注)(除非另有说明,否则 Ta=25°C)
特性 | 符号 | 额定值 | 单位 |
---|---|---|---|
漏极-源极电压 | VDSS | 30 | V |
栅极-源极电压 | VGSS | ±20 | |
漏极电流(DC)(Tc=25 ºC) | ID | 150 | A |
漏极电流(DC)(硅极限) | ID | 420 | A |
漏极电流(脉冲)(t=100µs) | IDP | 500 | A |
功耗(Tc=25ºC) | PD | 210 | W |
功耗 | PD | 3 | W |
功耗 | PD | 0.96 | W |
单脉冲雪崩能量 | EAS | 393 | mJ |
单脉冲雪崩电流 | IAS | 120 | A |
结温 | Tch | 175 | °C |
存储温度 | Tstg | -55至175 | °C |
表 1:绝对最大额定值示例
另请参阅下面的产品页面。