如何读取偏置电阻内置晶体管（BRT）的数据表（电气特性）

图1：NPN BRT的等效电路
图1：NPN BRT的等效电路

下文介绍了BRT的关键电气特性。
在数据表中，除非另有说明，否则均按25°C的环境温度（Ta）指定数据表中的电气特性。除了电气特性表中显示的数值外，还请务必参考各个图表。

图2：IC–VI(ON)
图2：IC–VI(ON)

1.输入电压（导通），VI(ON)
VI(ON)是指晶体管在额定工况下让额定电流通过所需的输入电压。为顺利导通BR，必须在基极（B）和发射极（E）端子上施加高于最大输入电压（导通）（VI(ON)）的电压。
IC–VI(ON)曲线表明VI(ON)随着温度升高而降低。

产品输入电压
特性 符号 测试电路 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入电压（导通） RN1401 VI(ON) — VCE＝0.2V，IC＝5mA 1.1 — 2.0 V
RN1402 1.2 — 2.4
RN1403 1.3 — 3.0
RN1404 1.5 — 5.0
RN1405 0.6 — 1.1
RN1406 0.7 — 1.3
图3：IC – VI(OFF)
图3：IC–VI(OFF)

2.输入电压（关断），VI(OFF)
VI(OFF)是指满足将BRT定义为关断的条件所需的输入电压。为顺利地关断BRT的关断，必须在基极（B）和发射极（E）端子上施加低于最小输入电压（关断）（VI(OFF)）的电压。与VI(ON)一样，VI(OFF)随温度升高而降低。

产品输入关断电压
特性 符号 测试电路 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入电压（关断） RN1401至1404 VI(OFF) — VCE＝5V，IC＝0.1mA 1.0 — 1.5 V
RN1405，1406 0.5 — 0.8
图4：VCE(sat)–IC
图4：VCE(sat)–IC

3.集电极-发射极饱和电压，VCE(sat)
VCE(sat)是指BRT在额定电流下在饱和区内工作时的集电极-发射极电压。VCE(sat)–IC曲线表明，VCE(sat)随着温度升高而增大。

产品集电极-发射极饱和电压
特性 符号 测试电路 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位

集电极-发射极

饱和电压

 RN1401至1406 VCE(SAT) — IC＝5mA，IB＝0.25mA — 0.1 0.3 V
图5：BRT R变化率–Ta
图5：BRT R变化率– Ta

4.输入电阻，R1
R1是与BRT的基极端子串联的电阻的值。对于以下所示的BRT，R1的变化为±30％。R1会影响VI(ON)和其它特性。R1以大约0.2％/℃的速率降低。

产品输入电阻
特性 符号 测试电路 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入电阻 RN1401 R1 — — 3.29 4.7 6.11 kΩ
RN1402 7 10 13
RN1403 15.4 22 28.6
RN1404 32.9 47 61.1
RN1405 1.54 2.2 2.86
RN1406 3.29 4.7 6.11

5.电阻比，R1/R2
电阻比（R1/R2）是指R1电阻与R2电阻之比。对于以下所示的BRT，R1/R2的变化为±10％。未单独指定基极-发射极电阻（R2）的值，但指定了电阻比（R1/R2），因为它更重要。

产品电阻率
特性 符号 测试电路 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
阻值比 RN1401至1404 R1/R2 — — 0.9 1.0 1.1 —
RN1405 0.0421 0.0468 0.0515
RN1406 0.09 0.1 0.11

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