如果向双极结型晶体管(BJT)基极端子施加超过发射极-基极绝对最大额定电压的反向电压,会发生什么情况?

切勿向基极端子施加超过绝对最大额定值表(表1)中所示的发射极-基极额定电压(VEBO)的电压(对于npn晶体管为负偏压,对于pnp晶体管为正偏压)。否则会降低hFE和其它参数。

图1:单稳态多谐振荡器(上述模式2)
图1:单稳态多谐振荡器(上述模式2)

双极晶体管的发射极浓度最高,其次是基极,然后是集电极。发射极的浓度比基极的浓度高100倍以上。浓度越高,耐电压越低。
VEBO只有几伏。将大幅值信号输入基极时必须小心。此外,有些电路中还施加了反向偏压,例如下面的电路。设计时请考虑使用条件。
当单稳态多谐振荡器由双极晶体管组成时,可向基极施加超过额定VEBO的偏置电压。
下文介绍了图1中所示的多谐振荡器的操作。

  1. 假设Q1最初为导通状态。因此,Q1的集电极电压接近GND电平。C1通过R3充电,而C2通过R2充电。
  2. C1充电后,Q2的基极-集电极电压达到其导通电压(约0.7V),从而导通。Q2的集电极电压降至接近GND的电平。在此之前,C2两端的电压充电至VCC–0.7V。即使Q2的集电极电压下降,C2仍保持充电状态。因此,C2基极端上Q1端子的电压降至0.7V-VCC。重复这些步骤以充当单稳态多谐振荡器。假设VCC=10V,则Q1和Q2的发射极-基极电压达到-9.3V,超过-5V的额定VEBO
表1:2SC2712的绝对最大额定值
表1:2SC2712的绝对最大额定值

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