低辐射发射噪声

优化的芯片设计可实现低辐射发射噪声。通常,较低的外部栅极电阻(RG)降低关断开关损耗并提高辐射的发射噪声。通过改善关断开关损耗和辐射发射噪声之间的平衡,可降低开关损耗。

辐射发射噪声低

新产品的辐射发射噪声在大约30MHz(噪声场强最强处)时改善了大约10dBμV/m。

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