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Stromversorgung

1,6 kW, 80Plus Platinum Class, Hocheffizientes AC-DC-Netzteilreferenzdesign für Server

Überblick

Netzteilanwendungen erfordern Leistungs-MOSFETs mit hoher Effizienz, geringer Größe und hoher Zuverlässigkeit. Seit der Veröffentlichung des ersten Leistungs-MOSFETs sind die Leistungs-MOSFETs von Toshiba in verschiedenen Märkten weit verbreitet.

Als Reaktion auf die Marktnachfrage hat Toshiba die neue Hochspannungs-DTMOS-Serie, die Niederspannungs-U-MOS-Serie und MOSFETs aus einem neuen Material namens Siliziumkarbid 「SiC」entwickelt, das zur Energieeinsparung bei Netzteilen beiträgt.

Blockdiagramm zur Elektrizitätsversorgung

Schaltnetzteil

Lineare Stromversorgung

Einsatzmöglichkeit

Dokumente

Whitepaper

Whitepaper
Name Outline Date of issue
Describes the features of the new package and an operation analysis using simulation 9/2017

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Describes the features of the DTMOSV series and the improvements from the previous series 9/2017

user registration

  • DTMOS Applications (Noise Reduction)
Describes the mechanism of noise generation and noise reduction techniques coming soon

Anwendungshinweise

Anwendungshinweise
Name Gliederung Veröffentlichungsdatum
Enthält Hinweise und Tricks, die auf Simulationsergebnissen basieren, um Ihnen dabei zu helfen, die Chiptemperatur von Halbleiter-Bauelementen zu senken. 01/2018
Ein hohes dv/dt zwischen dem Drain und der Source des MOSFET kann Probleme verursachen und die Ursache dieses Phänomens und seiner Gegenmaßnahmen erklären. 12/2017
Beschreibt den Mechanismus des Phänomens der Stoßladungen. Ich werde die Belastbarkeit und Gegenmaßnahmen gegen dieses Phänomen erklären. 12/2017
Beschreibt wie die Chiptemperatur von Halbleiter-Bauelementen gesenkt werden kann. 12/2017
Beschreibt wie die Chiptemperatur von Halbleiter-Bauelementen berechnet wird. 12/2017
Beschreibt das Temperatur-Derating des sicheren Betriebsbereichs von MOSFETs. 12/2017
Wenn eine schnell ansteigende Spannung zwischen dem Drain und der Source des MOSFET auftritt, kann das zu einer Fehlfunktion und der Einschaltung des MOSFETs führen. Dieser Mechanismus und Gegenmaßnahmen gegen dieses Phänomen werden erläutert. 12/2017
Beschreibt thermische Ersatzschaltungen, Beispiele für Kanaltemperaturberechnungen und Überlegungen zur Befestigung von Kühlkörpern. 2/2017
Beschreibt Planar-, Graben- und Super-Junction-Leistungs-MOSFETs. 11/2016
Beschreibt die absoluten Grenzwerte, Wärmewiderstand und den sicheren Betriebsbereich von Leistungs-MOSFETs. 11/2016
Beschreibt die in den Datenblättern angegebenen elektrischen Eigenschaften. 11/2016
Beschreibt die Auswahl von Leistungs-MOSFETs, Temperatureigenschaften, Auswirkungen von Drähten und Störschwingungen, Robustheit gegenüber Stoßentladungen, Snubber-Schaltungen usw. 11/2016

Katalog

Katalog
Name Gliederung Veröffentlichungsdatum
Beschreibt die MOSFET Produktlinie. 9/2017
Beschreibt die Produktlinie der Leistungs- und Kleinsignal-MOSFETs je nach Gehäuse. 3/2016

Referenzdesign

Referenzdesign
Name Beschreibung Veröffentlichungsdatum
Beschreibt eine Übersicht über das Netzteil, Design-Referenzdokumente, elektronische Dateien, die in EDA-Tools importiert werden können, sowie eine Übersicht über die einzelnen Bauelemente. 10/2017

Video


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