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Toshiba stellt TVS-Dioden für schnelle Schnittstellen vor

 6. September 2016


Neue Prozesstechnik verbessert die Abwägung zwischen Kapazität, dynamischem Widerstand und ESD-Schutz

Der zunehmende Datenverkehr – hervorgerufen durch Smartphones, Wearables, das Internet der Dinge (IoT) und Anwendungen im Bereich virtuelle Realität – führt zu immer mehr Highspeed-Schnittstellen, die Schutz gegen elektrostatische Entladungen (ESD) benötigen. Toshiba Electronics Europe bietet dafür neue ESD-Schutzdioden auf Basis seines ESD-Dioden-Array-Prozesses der vierten Generation (EAP-IV) an. Dabei kommt Toshibas eigens entwickelte Snapback-Technologie zum Einsatz.

Die TVS-Dioden DF2B5M4SL, DF2B6M4SL, DF10G5M4N und DF10G6M4N schützen Highspeed-Schnittstellen bis zu USB-3.1-Anwendungen. Eine Auswahl an Betriebsspannungen (3,6 und 5,5V) sowie Gehäusen (SOD962 und DFN10) bietet flexible Optionen, um ESD-Schutz in zahlreichen Anwendungen umzusetzen.

Durch Toshibas neuen Prozess bieten alle vier Dioden eine niedrige Kapazität, einen geringen dynamischen Widerstand und eine hohe Festigkeit gegen elektrostatische Entladungen. Eine minimale Signalverzerrung der Highspeed-Datensignale wird durch die äußerst geringe Kapazität von 0,2pF gewährleistet. Der dynamische Widerstand RDYN beträgt 0,5Ω und sorgt für niedrige Klemmspannungen. Des Weiteren wird ESD Schutz bis zu elektrostatischen Entladungsspannungen von mindestens ±20kV entsprechend IEC61000-4-2 garantiert.

Die DF2BxM4SL Dioden eignen sich vor allem für dicht bestückte Leiterplatten, da ihr SOD-962-Gehäuse eine Fläche von nur 0,62mm x 0,32mm einnimmt und gleich neben den ICs platziert werden kann, die ESD-Schutz benötigen. Bei den DF10GxM4N Dioden kann das DFN10-Gehäuse einfach auf einer 4-Bit-Busleitung platziert werden. Dieses „Flow-Through“-Design vereinfacht das Bus-Routing auf der Leiterplatte, da keine zusätzlichen Stubs benötigt werden, um einzelne TVS-Dioden anzuschließen.

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