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Toshiba bringt Multi-Bit TVS-Dioden für den Schutz von Highspeed-Schnittstellen in mobilen Geräten auf den Markt

13 Juni 2017

Lösungen für verbesserten Schutz und reduzierten Montageplatz

Toshiba Electronics Europe (TEE) hat heute die Markteinführung seiner neuen Multi-Bit-TVS-Dioden (Transient Voltage Suppressor) mit niedriger Kapazität angekündigt, die Highspeed-Schnittstellen vor elektrostatischen Entladungen (ESD) und Überspannung schützen.

Die neue Serie besteht aus vier Produkten: DF5G5M4N, DF5G6M4N, DF6D5M4N und DF6D6M4N. Alle diese Produkte bieten Schutz für unterschiedliche Highspeed-Schnittstellen, einschließlich USB Type-C™ und HDMI™.

Elektronische Geräte wie Smartphones, Wearables, Tablets aber auch Geräte für industrielle und Büro-Anwendungen sehen sich kontinuierlich steigenden Anforderungen ausgesetzt im Hinblick auf zur Verfügung stehenden Funktionen wodurch die Performance immer größer wird während die Geräte selbst immer kleiner werden. Daher müssen die Schlüssel-Halbleiterkomponenten in diesen Geräten kontinuierlich höhere Leistung bieten und gleichzeitig dem Miniaturisierungstrend Rechnung tragen.

Dadurch werden diese Schlüsselkomponenten aber auch zunehmend empfindlich gegenüber ESD und Überspannung, weshalb entsprechende Schutzschaltungen unerlässlich sind. Besonders bei Schnittstellen wie USB Type-C, HDMI und anderen Highspeed-Interfaces müssen dabei ESD Schutzprodukte mit niedriger Kapazität eingesetzt werden, die die übertragenen Signale möglichst wenig beeinflussen.

Die neuen TVS-Dioden bieten verbesserten Schutz mit geringerem dynamischen Widerstand und einer niedrigen Klemmspannung. Sie sind in kleinen LGA-Gehäusen, in einem „Flow Through“-Design, untergebracht (DFN5 [1,3 x 0,8 mm] für 4-Bit, DFN6 [1,25 x 1,0 mm] für 2-Bit). Da das Gehäuse direkt auf der Highspeed-Bus Leitung platziert werden kann ist ein einfaches Platinenlayout möglich. So führt das „Flow Through“-Design zusammen mit der typischen Diodenkapazität von 0,2 pF zu einer minimalen Signalverzerrung an Highspeed-Schnittstellen.

Die TVS-Dioden werden mit dem proprietären ESD Array Prozess der vierten Generation von Toshiba (EAP-IV Prozess) gefertigt, der einen um 20% geringeren dynamischen Widerstand im Vergleich zur aktuellen 4-Bit Version DF5G7M2N realisiert. Gleichzeitig wird der Schutz insgesamt erhöht, da auch die ESD-Störfestigkeit erhöht wird und so die Auswirkungen von Überspannungen reduziert werden.

Benutzer können aus dem neuen TVS-Dioden-Spektrum zwischen 4-Bit (DF5G5M4N, DF5G6M4N) und 2-Bit Bauteilen (DF6D5M4N, DF6D6M4N), sowohl für 3,3V- als auch  5,0V-Signalspannungen auswählen.

Hinweise

*USB Type-C ist ein Warenzeichen oder ein eingetragenes Warenzeichen des USB Implementers Forum.

*HDMI ist ein Warenzeichen oder ein eingetragenes Warenzeichen von HDMI Licensing, LLC.

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