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Ultrakompakte, bidirektionale ESD-Schutzdiode für tragbare Geräte

18 Januar 2018

Diode bietet Schutz bis zu 30 kV in kleinsten Gehäuseabmessungen

Toshiba Electronics Europe hat eine neue bidirektionale ESD-Schutzdiode, DF2B7ASL, auf den Markt gebracht, die hauptsächlich zum Schutz externer Schnittstellen gegen elektrostatische Entladung in Anwendungen gedacht ist, bei denen es auf kleinstmögliche Fläche ankommt, wie z. B. bei tragbaren Geräten.

Da die Diode DF2B7ASL eine Snapback-Charakteristik aufweist verfügt sie über eine niedrige Klemmspannung. Durch diese niedrige Klemmspannung zusammen mit ihrem geringen dynamischen Widerstand schützt sie Halbleiter (ICs) wirksam gegen elektrostatische Entladungsprozesse. Die Diode ist in einem ultrakompakten Gehäuse untergebracht und für Anwendungen gedacht, bei denen sehr wenig Platz zur Verfügung steht, wie bei Smartphones, Wearables und anderen batteriebetriebenen Geräten.

Die Diode DF2B7ASL bietet einen geringen dynamischen Widerstand von gerade einmal 0,2 Ω sowie eine niedrige Klemmspannung (VC) von 11 V bei einer Betriebsspannung von 5 V (VRWM ≤ 5,5 V) und verfügt trotzdem über eine ESD Absorptionsfähigkeit von +/‑ 30 kV gemäß IEC61000-4-2 (Kontaktentladung).

Mit ihrem SOD-962 (SL2) Gehäuse werden die neuen Dioden den Anforderungen geringsten Platzbedarfs gerecht, da sie nur eine Fläche von 0.32 mm x 0.62 mm auf der leiterplatte benötigen.

DF2B7ASL Mehr

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