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Toshiba stellt eine neue Schottky-Diode mit niedrigem Sperrstrom und verbessertem Wärmeverhalten vor

10 Juli 2018

Neues Gehäuse verringert im Vergleich zu herkömmlichen USC-Gehäusen den Wärmewiderstand um die Hälfte

Toshiba Electronics Devices & Storage Europe stellt die neue Schottky-Diode CUHS10F60 vor, die für die Gleichrichtung und Verhinderung von Rückströmen in Stromversorgungen ausgelegt ist.

Die neue Diode bietet einen niedrigen Wärmewiderstand von 105 °C/W und wird im neu entwickelten US2H-Gehäuse mit dem Gehäusecode SOD-323HE ausgeliefert. Der Wärmewiderstand des Gehäuses wurde im Vergleich zum herkömmlichen USC-Gehäuse um die Hälfte verringert, was eine einfachere thermische Auslegung ermöglicht.

Im Vergleich zu anderen Varianten dieser Serie wurden weitere Verbesserungen erzielt. Verglichen zur Schottky-Diode CUS04 verringert sich der maximale Rückstrom um ca. 60 % auf 40 μA, was zu einem geringeren Stromverbrauch führt. Zusätzlich wurde die Sperrspannung der CUHS10F60 von 40 auf 60 V erhöht. Damit erweitert sich der Anwendungsbereich im Vergleich zur CUS10F40.

Die Schottky-Diode CUHS10F60 ist ab sofort in Serienstückzahlen erhältlich.

CUHS10F60 Mehr

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