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Toshiba stellt Hochstrom-Fotorelais im DIP4-Gehäuse vor

30 Juli 2018

Höhere Leistungsfähigkeit und erweiterter Temperaturbereich vereinfachen den Einsatz

Toshiba Electronics Europe (Toshiba) bietet zwei neue Hochstrom-Fotorelais an, die im neuesten U-MOS-IX-Halbleiterprozess hergestellt werden.

Bei den beiden Fotorelais TLP3553A und TLP3555A liegen die OFF-State Ausgangsspannungen bei 30 V und 60 V, die Dauerstrombelastbarkeit liegt bei 4 A und 3 A im eingeschalteten Zustand. Im gepulsten Betrieb steigt die Strombelastbarkeit beider Relais auf 9 A.

Zu den gängigen Einsatzbereichen zählen industrielle Anwendungen (SPS, I/O-Schnittstellen, Sensorsteuerungen), Gebäudeautomationssysteme (Heizung, Lüftung und Klima), Sicherheitsausrüstung und der Austausch mechanischer Relais in älteren Systemen.

Das TLP3553A verfügt über einen niedrigen Durchlasswiderstand von nur 50mΩ (max.), der geringer ist als bei einem mechanischen Relais (ca. 100 mΩ) ist. Damit lassen sich Betriebsverluste auf ein Minimum reduzieren, sofern das Relais als Ersatz für mechanische Relais (wie 1-Form-A) zum Einsatz kommt, wie sie üblicherweise in industriellen Anwendungen verwendet werden. Die Fotorelais sind für den Betrieb im Temperaturbereich zwischen -40 und +110 °C ausgelegt, womit sich in Designs ausreichender thermischer Spielraum erzielen lässt.

Werden mechanische Relais durch Fotorelais wie TLP355xA ersetzt, erhöht sich die Systemzuverlässigkeit. Da Fotorelais kleiner als ein mechanisches Relais sind und kein zusätzlicher Treiber erforderlich ist, lassen sich Platz und Gewicht einsparen. Die TLP3553A und TLP3555A sind im DIP4-Gehäuse mit und ohne SMD- Option verfügbar.

Beide Relais befinden sich bereits in der Serienfertigung.

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