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Toshiba stellt Superjunction-Leistungs-MOSFETs der nächsten Generation vor

21 August 2018

Neue Bausteine verbessern den Wirkungsgrad von Stromversorgungen noch weiter

Toshiba Electronics Europe (Toshiba) stellt eine neue Serie von 650 V-Leistungs-MOSFETs der nächsten Generation vor, die für Server-Stromversorgungen in Rechenzentren, Power Conditioner in der Photovoltaik, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und andere industrielle Anwendungen vorgesehen ist.

Der erste Leistungs-MOSFET der Serie DTMOS VI ist der TK040N65Z, ein 650 V-Baustein, der Drain-Dauerströme (ID) bis zu 57 A und gepulst (IDP) bis 228 A unterstützt. Er bietet einen äußerst niedrigen Drain-Source-Durchlasswiderstand RDS(ON) von 0,04 Ω (typ. 0,033 Ω), womit geringere Verluste in Leistungselektronikanwendungen auftreten. Durch seine geringe Kapazität innerhalb des Designs ist dieser MOSFET ideal für den Einsatz in modernen, schnell schaltenden Stromversorgungen geeignet.

Der Wirkungsgrad der Stromversorgung verbessert sich durch den geringeren RDS(ON) x Qgd Wert. Der TK040N65Z zeigt bei dieser wichtigen Kennzahl eine Verbesserung von 40 % gegenüber dem Vorgänger DTMOS IV-H, was einen erheblichen Gewinn von 0,36 % beim Wirkungsgrad einer Stromversorgung darstellt – gemessen in einem 2,5kW-PFC-Schaltkreis (Leistungsfaktorkorrektur).

Der neue Leistungs-MOSFET wird im TO-247-Standardgehäuse ausgeliefert, das kompatibel zu bisherigen Designs ist und sich genauso für neue Projekte eignet.

Toshiba wird sein Angebot weiter ausbauen, um Markttrends zu entsprechen und den Wirkungsgrad von Stromversorgungen und Leistungselektronik-Anwendungen weiter zu verbessern.

Der TK040N65Z ist ab sofort erhältlich und wird bereits in Serie gefertigt. Weitere Informationen finden sich im Datenblatt.

Weitere Informationen über Toshibas 400-900 V MOSFETs: https://toshiba.semicon-storage.com/eu/product/mosfet/hv-mosfet.html

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