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Toshiba stellt 40V-Automotive-MOSFETs mit niedrigem Rds(on) in 5 mm x 6 mm Gehäusen mit doppelseitiger Kühlung vor

4. September 2018

Neues Gehäuse verbessert das Wärmeverhalten

Toshiba Electronics Europe stellt mit dem TPWR7940PB und TPW1R104PB zwei 40V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs im DSOP Advance (WF) Gehäuse vor, das eine beidseitige Kühlung ermöglicht. Der TPWR7940PB ist ein 40V-MOSFET mit maximal 0,79mΩ Rds(on) im DSOP Advance (WF)L Gehäuse. Der TPW1R104PB ist ein 40V-MOSFET mit maximal 1,14mΩ Rds(on) im DSOP Advance (WF)M Gehäuse. Beide Bausteine basieren auf dem neuesten U-MOSIX-H-Trench-Prozess und sind AEC-Q101-qualifiziert. Sie zielen auf Anwendungen in Fahrzeugen ab, wie z.B. elektrische Servolenkungen (EPS), Lastschalter und elektrische Pumpen.

Sowohl das DSOP Advance (WF)M als auch das DSOP Advance (WF)L sind 5 mm x 6 mm Gehäuse mit acht Pins. Sie unterscheiden sich in der Größe ihrer freiliegenden Metalloberfläche. Diese beträgt etwa 8 mm2 beim DSOP Advance (WF)M und etwa 12 mm2 beim DSOP Advance (WF)L. Messungen in Toshibas Testumgebung ergaben eine maximale Wärme-Impedanz zwischen Kanal und Metalloberfläche von 1,5K/W für den TPW1R104PB und 0,93 K/W für den TPWR7940PB. Dieses hervorragende Wärmeverhalten wird durch die Befestigung der freiliegenden Oberfläche über eine isolierende Schicht an einen Kühlkörper (z.B. ein Metallrahmen) möglich.

Das DSOP Advance (WF)M und DSOP Advance (WF)L weisen die gleiche Stellfläche wie ein SOP Advance (WF) Gehäuse auf, das keine freiliegende Metalloberfläche aufweist. Sie bieten benetzbare Anschlüsse, die eine automatische optische Inspektion (AOI) von Lötstellen auf Leiterplatten ermöglichen. AOI ist insbesondere in Automotive-Anwendungen wichtig, bei denen eine Überprüfung der Lötqualität erforderlich ist.

Die Serienfertigung des TPWR7940PB und TPW1R104PB hat im August 2018 begonnen.

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