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Toshiba stellt einen kleinen MOSFET mit hervorragendem ESD-Schutz vor

19. Februar 2019

Effizienter Dual-Baustein ist ideal für Fahrzeugscheinwerfer

Toshiba Electronics Europe GmbH (TEE) stellt einen Dual-MOSFET mit hohem ESD-Schutz vor. Der neue SSM6N813R ist für den Einsatz in robusten Automotive-Anwendungen vorgesehen, darunter auch als Treiber-IC für Scheinwerfer-LEDs, die eine hohe Spannungsfestigkeit und eine geringe Montagefläche erfordern.

Eine maximale Drain-Source-Spannung (UDSS) von 100V stellt sicher, dass der SSM6N813R für Scheinwerferanwendungen geeignet ist, die mehrere LEDs erfordern, was durch die hohe ESD-Störfestigkeit des Bausteins unterstützt wird. Der SSM6N813R wird nach neuesten Verfahren hergestellt und weist eine maximale Verlustleistung von 1,5W auf. Er bietet einen stromsparenden Betrieb durch einen niedrigen Durchlasswiderstand (RDS (ON)) von nur 112mΩ und unterstützt Drain-Ströme (ID) bis 3,5A.

Die Dual-MOSFETs werden im winzigen TSOP6F-Gehäuse mit den Abmessungen 2,9mm x 2,8mm x 0,8mm ausgeliefert, was der Grundfläche eines SOT23-Gehäuse entspricht. Die Montagefläche ist dabei um 70% geringer als bei einem SOP8-Gehäuse.

Der SSM6N813R befindet sich bereits in der Serienfertigung.

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