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Erweiterter Anwendungsbereich dank Entwicklung von Wide-Bandgap-Halbleitern für Leistungsgeräte

Erweiterter Anwendungsbereich dank Entwicklung von Wide-Bandgap-Halbleitern für Leistungsgeräte

Wide-Bandgap-Halbleiter, einschließlich Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN), finden derzeit viel Beachtung, weil sie aufgrund ihrer exzellenten Eigenschaften eine höhere Energieeffizienz bieten und daher für den Einsatz in Leistungsgeräten der nächsten Generation interessant sind.

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation hat eine Vielzahl von SiC-Leistungsgeräten auf den Markt gebracht und entwickelt auch GaN-Leistungsgeräte für extrem schnelle Schaltvorgänge, einschließlich GaN HEMT und GaN MOSFET mit Quasi-Normally-Off-Verhalten.

 
*Toshiba Review (Vol. 72, Nr. 5, November 2017)

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