Contact us

Innovation Centre

Es wird ein neues Fenster geöffnet Es wird ein neues Fenster geöffnet

Das neue DSOP Advance: MOSFETs mit hoher Leistungsdichte im kleinen Gehäuse

Low-Voltage-Leistungs-MOSFETs sind die vorrangigen Schaltbausteine in Stromversorgungen. Die Leistungsdichte dieser Systeme steigt kontinuierlich. Den Platzbedarf und die Verluste zu verringern, erfordert eine verbesserte Wärmeableitung von den MOSFETs.

Diese Anforderungen erfüllt das neue MOSFET-Gehäuse DSOP Advance (Dual Side Cooling SOP 5mm x 6mm). Die Details dieses neuen Gehäuses wurden im Mai 2015 auf der PCIM in Nürnberg vorgestellt. Durch doppelseitige Kühlung mit einer Kupferplatte (Cu) auf der Ober- und Unterseite des Gehäuses bietet es eine höhere Wärmeleitfähigkeit. Im Vergleich zu einem Gehäuse mit einseitiger Kühlung konnte der Wärmewiderstand (Rth) um 26% verringert, die Avalanche-Energie erhöht und die Wärmeleitfähigkeit verbessert werden.

DSOP Advance: high power density MOSFETs in a small package

Der hervorragende Wärmewiderstand des DSOP Advance ermöglicht kleinere Kühlkörper. Solche Bausteine tragen zu kleineren Systemen und einer höheren Leistungsdichte bei. DSOP-Advance-Gehäuse verwenden nur eine integrierte Kupferverbindung auf der Oberseite. Damit entstehen keine zusätzlichen Wärmeschnittstellen- und elektrischen Widerstände.

Click here to download the whitepaper

To Top
·Before creating and producing designs and using, customers must also refer to and comply with the latest versions of all relevant TOSHIBA information and the instructions for the application that Product will be used with or for.
  • YouTube (A new window will open.)
  • LinkedIn (A new window will open.)
  • Newsletter (A new window will open.)