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Low-Voltage-Leistungs-MOSFETs sind die vorrangigen Schaltbausteine in Stromversorgungen. Die Leistungsdichte dieser Systeme steigt kontinuierlich. Den Platzbedarf und die Verluste zu verringern, erfordert eine verbesserte Wärmeableitung von den MOSFETs.
Diese Anforderungen erfüllt das neue MOSFET-Gehäuse DSOP Advance (Dual Side Cooling SOP 5mm x 6mm). Die Details dieses neuen Gehäuses wurden im Mai 2015 auf der PCIM in Nürnberg vorgestellt. Durch doppelseitige Kühlung mit einer Kupferplatte (Cu) auf der Ober- und Unterseite des Gehäuses bietet es eine höhere Wärmeleitfähigkeit. Im Vergleich zu einem Gehäuse mit einseitiger Kühlung konnte der Wärmewiderstand (Rth) um 26% verringert, die Avalanche-Energie erhöht und die Wärmeleitfähigkeit verbessert werden.
Der hervorragende Wärmewiderstand des DSOP Advance ermöglicht kleinere Kühlkörper. Solche Bausteine tragen zu kleineren Systemen und einer höheren Leistungsdichte bei. DSOP-Advance-Gehäuse verwenden nur eine integrierte Kupferverbindung auf der Oberseite. Damit entstehen keine zusätzlichen Wärmeschnittstellen- und elektrischen Widerstände.
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