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MOSFETs: Leistung effizienter schalten, Störungen verringern

MOSFETs: Leistung effizienter schalten, Störungen verringern

Neben der Energieeffizienz, Baugröße und dem Wärmemanagement müssen Entwickler von Leistungswandlern auch die Schaltgeschwindigkeiten und elektromagnetischen Störungen (EMI) berücksichtigen. Die gute Nachricht ist, dass neueste MOSFET-Technologien nicht nur den Stromverbrauch und die Wärmeentwicklung senken, sondern auch die Schaltleistung verbessern und das Rauschen verringern.

MOSFETs auf Basis von Toshibas neuestem UMOS VIII-H Trench-Prozess bieten eine hervorragende Unterdrückung schaltungsbedingter Störungen, damit Entwickler das EMI-Gesamtrauschen verringern können. Die neuen MOSFETs eignen sich für Anwendungen wie Automotive-Motoren in 48V-Systemen, DC/DC-Wandler und Lastschalter.

Im Vergleich zu früheren Bausteinen bieten sie eine wesentlich strengere Spezifikation der Schwellenspannung (Uth) – was gerade in schaltenden Anwendungen von Bedeutung ist. Die neue Uth-Spezifikation verringert die Totzeit in Systemen mit Halb-/H-/B6-Brücken. Der maximale Uth-Unterschied zwischen dem Low-Side MOSFET und dem High-Side MOSFET ist nun geringer.

In Anwendungen, in denen MOSFETs parallel geschaltet sind, sorgt diese strengere Uth-Spezifikation zu einem verbesserten synchronen Schalten unter den MOSFETs. Die Schaltverluste werden dadurch gleichmäßiger unter den MOSFETs verteilt.

Toshibas Whitepaper über neueste Fortschritte in der Halbleiter- und Gehäusetechnik für Leistungs-MOSFETs bietet weitere Informationen über die Möglichkeiten dieser neuer Technologien.

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