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MOSFET-Leistungsfähigkeit optimieren – Chip und Gehäuse

MOSFET-Leistungsfähigkeit optimieren – Chip und Gehäuse

Das anhaltende Streben nach einer effizienteren Leistungswandlung bei gleichzeitig geringerer Systemgröße und weniger Wärmeentwicklung bildet die Grundlage für die heutige MOSFET-Entwicklung. Um dies umzusetzen, müssen Halbleiterhersteller die zugrundeliegenden Halbleiterfertigungsprozesse und die Gehäusetechnologie berücksichtigen.

Das Bild beschreibt die verbesserte elektrische Leistungsfähigkeit, die durch die jüngsten Fortschritte in den Bereichen Halbleiter- und Gehäusetechnologie erzielt wurden. MOSFETs im 5mm x 6mm Gehäuse, die eine Weiterentwicklung von der UMOS-VIII- zur UMOS-IX-H-Technologie durchlaufen haben, weisen nun einen um 42% geringeren RDS(ON) auf. Der niedrige DFPR-Wert des DSOP-Advance-Gehäuses sorgt dabei für eine weitere Senkung um 25%. Das Diagramm bezieht sich nur auf die elektrische Leistungsfähigkeit und gibt nicht die verbesserten thermischen Eigenschaften des DSOP-Advance-Gehäuses wieder.

Toshibas Whitepaper über neueste Fortschritte in der Halbleiter- und Gehäusetechnik für Leistungs-MOSFETs bietet weitere Informationen über die Möglichkeiten dieser neuen Technologien.

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