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Konventionen der Bauteilbenennung

Wenn Sie auf die Kategorie des Produkts klicken, können Sie die Konventionen für die Benennung von Hochfrequenzgerätebauteilen aufrufen.

  • Funkfrequenzdiode (EIAJ-Registrierungsprodukte)

    Beispiel einer Funkfrequenzdiode (EIAJ-Registrierungsprodukte)

    1. Der Wert, dem 1 von der Gesamtanzahl an Terminals abgezogen wurde
    2. S steht für Semiconductor (Halbleiter)
    3. Der Diodentyp
      Dieser Abschnitt zeigt den verwendeten Diodentyp.
      (Mitunter wird er ausgelassen. )
      • S: Diode zur allgemeinen Verwendung, zur Erkennung, Frequenzumwandlung und Umschaltung
      • V: Variable Kapazitätsdiode, PIN-Diode
      • Z: Zener-Diode
    4. Seriennummer
      EIAJ-Registrierungsnummern

  • Funkfrequenzdiode (EIAJ-Deregistrierungsprodukte)

    Beispiel einer Funkfrequenzdiode (EIAJ-Deregistrierungsprodukte)

    1. JD steht für Hochfrequenzdiode
    2. Der Gerätetyp
      Dieser Abschnitt zeigt den verwendeten Gerätetyp.
      Er wird von den Geräten, die geladen werden, als H, P, S und V klassifiziert.
      • H: Schottky-Diode
      • P: PIN-Diode
      • S: Bandumschaltungsdiode
      • V: Variable Kapazitätsdiode
    3. Anzahl der Terminals
    4. Interne Verbindung
      Dieser Abschnitt zeigt den Typ der internen Verbindung eines Produkts
      • S: einzeln
      • C: Kathode, gemeinsam
      • P: Parallel
    5. Seriennummer
    6. Gehäusetyp
      (Keine Kennzeichnung) S-MINI
      U USC, USQ
      T TESC, TESQ
      E ESC
      S sESC
      FS fSC
      CT CST3, CST4
      SC SC2
      FV VESM

  • Funkfrequenztransistor (EIAJ-Registrierungsprodukte)

    Beispiel eines Funkfrequenztransistors (EIAJ-Registrierungsprodukte)

    1. Der Wert, dem 1 von der Gesamtanzahl an Terminals abgezogen wurde
    2. S steht für Semiconductor (Halbleiter)
    3. Der Schaltkreistyp
      Dieser Abschnitt zeigt den Schaltkreistyp eines Produkts.
      Er wird vom Schaltkreis eines Produkts als A bis K klassifiziert.
      • A: ein Hochfrequenztransistor mit PNP-Struktur
      • B: ein Niederfrequenztransistor mit PNP-Struktur
      • C: ein Hochfrequenztransistor mit NPN-Struktur
      • D: ein Niederfrequenztransistor mit NPN-Struktur
      • J: ein Transistor vom Typ Effective Transistor (FET)
      • K: ein Nch Field Effective Transistor (FET)
    4. Seriennummer
      EIAJ-Registrierungsnummern.
    5. Änderungen
      Das zusätzliche Symbol, das einige Änderungen anzeigt.

  • Funkfrequenztransistor (Mikrowellentransistor)

    Beispiel eines Funkfrequenztransistors (Mikrowellentransistor)

    1. MT steht für Toshiba Mikrowellentransistor
    2. Anzahl der Terminals
    3. Interne Verbindung
      Dieser Abschnitt zeigt den Typ der internen Verbindung eines Produkts.
      • S: Einzeln
      • C: Kaskadiert
      • P: Parallel
      • L: Lateral
    4. Seriennummer
    5. Änderungen
      Das zusätzliche Symbol, das einige Änderungen anzeigt
    6. Gehäusetyp
      Dieser Abschnitt zeigt den Gehäusetyp.
      (Keine Kennzeichnung) S-MINI, SMQ
      U USM, USQ, US6
      S SSM, sES6
      T TESM, TU6, TESQ
      E ES6
      FS fSM, fS6
      CT CST3

  • Funkfrequenzleistungstransistor (EIAJ-Registrierungsprodukte)

    Beispiel eines Funkfrequenzleistungstransistors (EIAJ-Registrierungsprodukte)

    1. Der Wert, dem 1 von der Gesamtanzahl an Terminals abgezogen wurde
    2. S steht für Semiconductor (Halbleiter)
    3. Der Schaltkreistyp
      Dieser Abschnitt zeigt den Schaltkreistyp eines Produkts.
      Er wird vom verwendeten Schaltkreis als A bis K klassifiziert.
      • A: ein Hochfrequenztransistor mit PNP-Struktur
      • B: ein Niederfrequenztransistor mit PNP-Struktur
      • C: ein Hochfrequenztransistor mit NPN-Struktur
      • D: ein Niederfrequenztransistor mit NPN-Struktur
      • J: ein P-ch Field Effective Transistor (FET)
      • K: ein N-ch Field Effective Transistor (FET)
    4. Seriennummer
      EIAJ-Registrierungsnummern
    5. Änderungen
      Das zusätzliche Symbol, das einige Änderungen anzeigt.

  • Funkfrequenzleistungstransistor (RF-MOSFET)

    Beispiel eines Funkfrequenzleistungstransistors (RF-MOSFET)

    1. RFM steht für Toshiba RF-MOSFET.
    2. Dieser Abschnitt zeigt die Ausgangsleistung (W) eines Produkts.
      • 00: 0,03 W
      • 07: 7,0 W
      • 12: 11,5 W
    3. Dieser Abschnitt zeigt die Betriebsfrequenz (MHz) eines Produkts.
      • U: 400 bis 520 MHz
      • M: 700 bis 950 MHz
    4. Dieser Abschnitt zeigt die Betriebsspannung (V) eines Produkts.
      • 4: 4,5V
      • 7: 7,2V
    5. Sonstige Informationen
    6. Gehäusetyp
      Zeigt den Gehäusetyp.
      • U: USQ
      • M: PW-MINI
      • X: PW-X

  • Funkfrequenzstromversorgungsmodul

    Beispiel eines Funkfrequenzstromversorgungsmoduls (RF-MOSFET)

    1. S-A steht für Toshiba RF-Stromversorgungsmodul
    2. Frequenzband
      • U: UHF
      • V: VHF
    3. Seriennummer
    4. Änderungen
      Das zusätzliche Symbol, das einige Änderungen anzeigt.
    5. Frequenzbandaufteilung
      Das Magnitudenverhältnis ist wie folgt:
      VL < L < M < H < VH < SH

  • Akkus für die Funkfrequenzverwendung

    Beispiel für Akkus für die Funkfrequenzverwendung

    1. Materialien, Anwendungen
      Dieser Abschnitt zeigt die Materialien und Anwendungen.
      Detaillierte Informationen finden Sie in der folgenden Tabelle.
      1 Materialien Einsatzmöglichkeiten
      TA40 Si Quarzoszillator
      UHF-Breitbandverstärker
      VHF-UHF-Breitbandverstärker
      VHF-RF-Verstärker (breit)
      Kabelmodems
      TA41 VHF-UHF-Verstärker MIX
      VHF-UHF DBM
      1,9 GHz U/C MIX
      1 GHz Band D/C IC
      TA43 BS/CS D/C IC
      TG20 GaAs Leistungsverstärker für PHS (Personal Handy Phone System)
      TG22 PHS SPDT-Schalter
      SPDT-Universalschalter
      ATT
    2. Seriennummer
    3. Gehäusetyp
      • FU: USV
      • F / AF: SMQ / SMV / SM6 / SM8 / SSOP20
      • FE: ESV / ES6
      • FT: TU6
      • FC: CS6
      • S: sES6
      • TU: UF6
      • CTB: CST6B
      • CT: CST20

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