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MOSFET-Produktportfolio

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12 V – 300 V MOSFETs

Toshiba bietet ein breites Portfolio an niedrigen und mittleren VDSS MOSFETs in verschiedenen Gehäusen – von besonders kleinen Gehäusen für Kleinsignal-Anwendungen bis zu Gehäusen mit großer Stromkapazität für Automobil-Anwendungen. Toshiba hat alle aufeinanderfolgenden Generationen der Trench-Gate-Strukturen und Herstellungsprozesse eingesetzt, um kontinuierlich den Drain-Source-Durchlasswiderstand, RDS(ON), bei den MOSFETs mit niedriger Spannung zu reduzieren. Darüber hinaus hat Toshiba kontinuierlich die MOSFET-Zellstrukturen optimiert, um den Konflikt zwischen Drain-Source-Durchlasswiderstand und Ladecharakteristika zu verbessern, die wichtige Leistungskennzahlen für MOSFETs bei Schalt-Anwendungen darstellen.

Portfolio

Highlight

Die neueste U-MOSⅨ-H-Serie
Die U-MOSⅨ-H-Serie umfasst hervorragende Trench-Prozess- und Gehäusetechnologien und weist federführende Leistungsmerkmale in der Branche auf.

Die neueste U-MOSⅨ-H-Serie

Merkmal

Niederspannungsantrieb und niedriger Durchlasswiderstand
Gehäusetrends für 12 V – 300 V MOSFETs
Thermisch verbessertes DSOP Advance-Gehäuse
Gehäuse für kleinen Durchlasswiderstand

Dokumente

Whitepaper
Name Gliederung Veröffentlichungsdatum
Entwicklung von Geräten für die
Leistungselektronik und Erweiterung von Technologien für
Montage, Schaltungen und Einsatzmöglichkeiten für Produkte
8/2017

Benutzeranmeldung

Optimiertes Leistungsdesign durch effiziente MOSFETs und Integration 8/2017

Benutzeranmeldung

Kabelloses Elektrowerkzeug: Bereitstellung von hoher Ausgangsleistung, erweitertem Betrieb und kleineren Formfaktoren 9/2017

Benutzeranmeldung

Beidseitiges Kühlgehäuse – DSOP Advance: Höhere Wärmeleitfähigkeit bei Leistungs-MOSFETs 8/2017

Benutzeranmeldung

Anwendungshinweise
Name Gliederung Veröffentlichungsdatum
Beschreibt die Richtlinien für das Design eines Gate-Treiber-Schaltkreises für MOSFET-Schaltanwendungen und bietet Beispiele für Gate-Treiber-Schaltkreise 11/2017

Benutzeranmeldung

Beschreibt das Stromungleichgewicht bei parallelen MOSFETs und die Mechanismen der Störschwingung 11/2017

Benutzeranmeldung

Beschreibt den Schwingungsmechanismus von MOSFETs bei Schaltanwendungen 11/2017

Benutzeranmeldung

Beschreibt, wie die Chiptemperatur von Halbleiter-Bauelementen gesenkt werden kann. 12/2017
Beschreibt Planar-, Trench- und Super-Junction-Leistungs-MOSFETs. 11/2016
Beschreibt die absoluten Grenzwerte, den Wärmewiderstand und den sicheren Betriebsbereich von Leistungs-MOSFETs. 11/2016
Beschreibt die in den Datenblättern angegebenen elektrischen Eigenschaften. 11/2016
Beschreibt die Auswahl von Leistungs-MOSFETs, Temperatureigenschaften, Auswirkungen von Drähten und Störschwingungen, Robustheit gegenüber Stoßentladungen, Snubber-Schaltungen usw. 11/2016
Beschreibt thermische Ersatzschaltungen, Beispiele für Kanaltemperaturberechnungen und Überlegungen zur Befestigung von Kühlkörpern. 2/2017

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