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MOSFET-Produktportfolio

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Portfolio kleiner Gehäuse

Es stehen umfangreiche Gehäuseoptionen zur Auswahl – von 3,0 mm x 3,0 mm bis hin zu ultrakleinen Gehäusen von weniger als 1,0 mm x 1,0 mm. Diese Gehäuse zeichnen sich durch einen kleinen Formfaktor, niedrigen Durchlasswiderstand und hohe zulässige Verlustleistungen aus.

Portfolio kleiner Gehäuse

Portfolio von kleinen MOSFETs mit geringem Widerstand nach Gehäuse

Portfolio von kleinen MOSFETs mit geringem Widerstand nach Gehäuse
Anzahl der Pins Gehäuse

Größe
(mm)

Polarität
Einzeln Dual/
Ergänzend
3

S-Mini
(SOT-346)
S-Mini

2,9 x 2,5

N-ch
P-ch

 

3

SOT-23F
SOT-23F

2,9 x 2,4

N-ch
P-ch

 

3

SOT23
(SOT-23)
SOT-23

2,9 x 2,4

N-ch

 

3

UFM
(SOT323F)
UFM

2,0 x 2,1

N-ch
P-ch

 

3

USM
(SOT-323)
USM

2,0 x 2,1

N-ch
P-ch

 

3

SSM
(SOT-416)
SSM

1,6 x 1,6

N-ch
P-ch

 

3

VESM
(SOT-723)
VESM

1,2 x 1,2

N-ch
P-ch

 

3

CST3B
CST3B

1,2 x 0,8

N-ch
P-ch

 

3

CST3
(SOT-883)
CST3

1,0 x 0,6

N-ch
P-ch

 

3

CST3C
CST3C

0,8 x 0,6

N-ch
P-ch

 

5

USV
(SOT-353)
USV

2,0 x 2,1

 

N-ch x 2
P-ch x 2

5

UFV
(SOT-353F)
UFV

2,0 x 2,1

N-ch + SBD
N-ch + SW-DI
P-ch + SBD

 

5

ESV
(SOT-553)
ESV

1,6 x 1,6

N-ch + SBD
P-ch + SBD

N-ch x 2
P-ch x 2

6

TSOP6F
TSOP6F

2,9 x 2,8

N-ch
P-ch

N-ch x 2
P-ch x 2
N-ch + P-ch

6

UF6
(SOT-363F)
UF6

2,0 x 2,1

N-ch
P-ch

N-ch x 2
P-ch x 2
N-ch + P-ch

6

US6
(SOT-363)
US6

2,0 x 2,1

 

N-ch x 2
P-ch x 2
N-ch + P-ch

6

UDFN6B
(SOT-1220)
UDFN6B

2,0 x 2,0

N-ch
P-ch

 

6

UDFN6
(SOT-1118)
UDFN6

2,0 x 2,0

N-ch + SBD
P-ch + SBD

N-ch x 2
P-ch x 2
N-ch + P-ch

6

ES6
(SOT-563)
ES6

1,6 x 1,6

N-ch
P-ch

N-ch x 2
P-ch x 2
N-ch + P-ch

6

WCSP6C
WCSP6C

1,5 x 1,0

N-ch
P-ch

 

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Technische Anfragen
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