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Halbleiterrelais

Toshiba-Fotorelais

Allgemeine Informationen

Mechanischer Relais-Ersatz (e-Book)

UL508

Testplatine aktuelle Kampagne

Toshiba-Fotorelais

Überblick

Fotorelais sind ein Typ von Optokopplern, die aus einer optisch mit einem MOSFET gekoppelten LED bestehen. Fotorelais bieten im Vergleich zu mechanischen Relais viele Vorteile wie längere Standzeiten, Schwachstromtreiber und schnelle Reaktion. Fotorelais werden häufig zum Kontaktschalten in Halbleiter-Testsystemen, Sicherheitssystemen etc. eingesetzt. Toshiba bietet Fotorelais mit niedrigem RON- und CoFF-Wert in ultrakompakten  VSON/S-VSON-Gehäusen für Halbleiter-Testsysteme an. Zudem sind Mehrzweck-Fotorelais in unterschiedlichen Gehäusen mit hohem Strom und hoher Sperrspannung erhältlich.

Einführung in das Toshiba-Fotorelais

Application Notes

Erläuterung der Vorteile von Fotorelais im Vergleich zu mechanischen Relais und bietet eine Einführung in die Fotorelais von Toshiba, z. B. Hochspannungs-Fotorelais, Fotorelais mit kleinen Gehäusen usw.

Zielmarkt

Hochstrom (Kapazität)-
Fotorelais
Wir erweitern unser Angebot, um den Anforderungen an eine Vielzahl von Anwendungen gerecht zu werden. (Max. ION 5 A, Max. VOFF 600 V)
Platz sparend (geringere CR) für ATE
Mit Hilfe unserer einzigartigen Gehäusetechnologie haben wir die kleinste Klasse* von Fotorelais geschaffen.

*Untersucht von Toshiba im März/18
**Automatic Test Equipment

Hohe Produktivität
Wir haben höchst effiziente Fertigungsanlagen für Universal-Fotorelais mit geringem Eingangsstrom (TLP176AM,TLP172GM) und hoher Durchschlagsspannung (BVs)-5kVeff (TLP240/TLP241) eingeführt.

Festigkeit

Eigenproduktion Click to enlarge
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*PDA: Photo Diode Array

Neueste UMOS-Technologie Click to enlarge
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**MOSFET in Trench-Bauweise von Toshiba
**MOSFET in Super Junction-Bauweise von Toshiba

Der kleinste S-VSON4 Click to enlarge
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Geschichte der Toshiba-Fotorelais-Entwicklung

2016   Ersteinsatz des Super Junction-MOS
2016   Einschaltstrom von 5 A
2016   Markteinführung des S-VSON4 PKG
2014   Markteinführung des VSON4 PKG
2009   LED-Trigger-Strom von 1 mA
2007   CR-Produkt von 5 pFΩ
2003   Einschaltstrom von 2,5 A
2000   Einschaltstrom von 1 A
2000   CR-Produkt von 10 pFΩ
1999   Ersteinsatz von UMOS
1997   CR-Produkt von 100 pFΩ
1996   Markteinführung von SOP-Produkten
1989   Markteinführung von DIP-Produkten
1988   Erster Produktansatz und Einsatz von  
           πMOS

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