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Alimentation

1,6 kW, classe 80Plus Platinum, Serveur à haut rendement Alimentation CA-CC Conception de référence

Présentation

Les applications d'alimentation électrique exigent des MOSFET de puissance de petite taille, mais à rendement et à fiabilité élevés. Depuis la sortie de son premier MOSFET, les MOSFET de puissance de Toshiba ont été largement adoptés par différents marchés.

En réponse à la demande du marché, Toshiba a mis au point la nouvelle série DTMOS à haute tension, la série U-MOS à basse tension et les MOSFET fabriqués dans un nouveau matériau appelé carbure de silicium (SiC) contribuant aux économies d'énergie des alimentations.

Schéma fonctionnel par alimentation électrique

Commutation d'alimentation électrique

Alimentations linéaires

Application

Documents

Whitepaper

Whitepaper
Name Outline Date of issue
Describes the features of the new package and an operation analysis using simulation 9/2017

user registration

Describes the features of the DTMOSV series and the improvements from the previous series 9/2017

user registration

  • DTMOS Applications (Noise Reduction)
Describes the mechanism of noise generation and noise reduction techniques coming soon

Note d'application

Note d'application
Désignation description Date de publication
Donne des conseils et astuces sur la base de résultats de simulation, qui vous aideront à abaisser la température des puces des composants à semi-conducteurs séparés. 01/2018
Un rapport dv/dt entre le drain et la source du MOSFET peut causer des problèmes et expliquer ce phénomène ainsi que les contremesures. 12/2017
Décrit le mécanisme du phénomène d'avalanche ; j'expliquerai la durabilité et les contremesures. 12/2017
Explique comment abaisser la température des puces des composants à semi-conducteurs séparés. 12/2017
Explique comment calculer la température des composants à semi-conducteurs séparés. 12/2017
Traite du déclassement de la zone de fonctionnement sécurisée des MOSFET. 12/2017
Lorsqu'une tension en augmentation rapide est appliquée entre le drain et la source du MOSFET, celui-ci risque de présenter un dysfonctionnement et de s'allumer. Le mécanisme de ce phénomène et les contremesures seront expliqués ultérieurement. 12/2017
Traite des circuits équivalents thermiques, donne des exemples de calcul de température de canal et les aspects à prendre en considération pour l'adjonction de dissipateurs thermiques 2/2017
Décrit les MOSFET de puissance planaires, à tranchée et Super-Junction 11/2016
Décrit les régimes assignés maximum absolus, l'impédance thermique et la zone de fonctionnement sécurisée des MOSFET de puissance 11/2016
Décrit les caractéristiques électriques indiquées dans les fiches techniques 11/2016
Décrit comment sélectionner des MOSFET de puissance, les caractéristiques de température, les effets des fils et des oscillations parasites, la robustesse de l'effet d'avalanche, les circuits d'amortissement, etc. 11/2016

Catalogue

Catalogue
Désignation description Date de publication
Décrit les différentes gammes de MOSFET 9/2017
Décrit les gammes de MOSFET de puissance et à petit signal, par offre 3/2016

Conception de référence

Conception de référence
Désignation Description Date de publication
Description générale de l'alimentation, des documents de référence pour la conception, des fichiers électroniques pouvant être importés dans des outils EDA, ainsi que des composants 10/2017

Vidéo


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Questions concernant les achats, l'échantillonnage et la fiabilité des circuits intégrés
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